[实用新型]具有宽电压范围的A型漏电保护电路

权利要求书

1.一种具有宽电压范围的A型漏电保护电路，包括互感器、整流滤波电路模块、降压稳压电路模块和脱扣电路模块，其特征在于：还包括A型漏电信号检测模块和A型漏电信号处理模块，所述A型漏电信号处理模块包括A型漏电芯片U1、电容C2、电容C4和电容C5，A型漏电芯片U1的8脚与+5V的电源连接，电容C2的一端连接在A型漏电芯片U1 的8脚，另一端接地，电容C4的一端连接在A型漏电芯片U1 的7脚，另一端接地，电容C5的一端连接在A型漏电芯片U1 的6脚，另一端接地，所述A型漏电信号检测模块包括电容C7、电阻R1、钳位二极管VD7、电阻R2、电阻R3、滤波电容C8、滤波电容C9和电容C6，其中电容C7、电阻R1和钳位二极管VD7并联到互感器的两个输出端，滤波电容C8和滤波电容C9的一端分别连接在钳位二极管VD7的两端，滤波电容C8和滤波电容C9的另一端接地，所述电阻R2和电阻R3的输入端分别串联在钳位二极管VD7的两端，电阻R2和电阻R3的输出端分别连接在A型漏电芯片U1的3脚和2脚上，电容C6的两端分别连接在电阻R2和电阻R5的输出端。

2.根据权利要求1所述的具有宽电压范围的A型漏电保护电路，其特征在于：所述降压稳压电路模块包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、稳压二极管VZ1、三极管Q3和三极管Q4，其中R10接到三极管Q3的集电极，三极管Q3的发射极与三极管Q4的集电极相连，电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9串联，电阻R7和电阻R8的公共端接到三极管Q3的基极，R9的一端接到三极管Q4的基极和稳压二极管VZ1的阴极，三极管Q4的发射极与+5V电源相连。

3.根据权利要求1或2所述的具有宽电压范围的A型漏电保护电路，其特征在于：还包括漏电实验电路模块，所述漏电实验电路模块包括电阻R5和实验按钮KEY，其中电阻R5的一端连接在零线N上，另一端穿过互感器后与实验按钮KEY连接，实验按钮KEY的另一端连接在火线B上。

4.根据权利要求3所述的具有宽电压范围的A型漏电保护电路，其特征在于：所述脱扣电路模块包括脱扣线圈L1、分压电阻R13、分压电阻R14、电阻R11、电阻R12、二极管VD9、电容C3、可控硅Q1和可控硅Q2，其中脱扣线圈L1的一端与整流滤波电路模块的输出端连接，另一端接地，可控硅Q1的阴极和可控硅Q2的阳极相连，分压电阻R13和分压电阻R14串联后连接在可控硅Q1的阳极和可控硅Q2的阴极，分压电阻R13和分压电阻R14的公共端与可控硅Q1和可控硅Q2的公共端连接，可控硅Q1的阳极与整流滤波电路模块连接，电阻R12和二极管VD9串联后一端与+5V电源连接，另一端与可控硅Q1的控制极连接，电阻R11的一端与可控硅Q1的控制极连接，另一端与可控硅Q1和可控硅Q2的公共端连接，可控硅Q2的阴极接地，可控硅Q2的控制极连接到A型漏电芯片U1的5脚，电容C3的一端与可控硅Q2的控制极连接，另一端接地。

5.根据权利要求4所述的具有宽电压范围的A型漏电保护电路，其特征在于：所述分压电阻R13和分压电阻R14的阻值一样。

6.根据权利要求1或2或4或5所述的具有宽电压范围的A型漏电保护电路，其特征在于：所述整流滤波电路模块包括二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11、电阻R4和电容C1，其中二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11构成全波整流电路，电阻R4与电容C1串联后连接在全波整流电路的两端。

7.根据权利要求1或2或4或5所述的具有宽电压范围的A型漏电保护电路，其特征在于：还包括压敏电阻MYR1、压敏电阻MYR2和压敏电阻MYR3，压敏电阻MYR1、压敏电阻MYR2和压敏电阻MYR3的一端分别连接在火线A、火线B和火线C上，压敏电阻MYR1、压敏电阻MYR2和压敏电阻MYR3的另一端均与零线N相连。

8.根据权利要求6所述的具有宽电压范围的A型漏电保护电路，其特征在于：所述电阻R4和电容C1上并联有压敏电阻MYR4。

9.根据权利要求7所述的具有宽电压范围的A型漏电保护电路，其特征在于：所述A型漏电芯片U1的型号为FM2147。