[实用新型]多段式双串联多晶组结构二极管元件

权利要求书

1.一种多段式双串联多晶组结构二极管元件，其特征在于，包括2N个晶组，其中N≧1为整数，第1晶组和第2N晶组的顶面分别配置一电极板为元件的第一电极、第二电极，N个下导板将2N个晶组的底面两两连接，N－1个上导板将前后二晶组除外的2N－2个晶组的顶面两两连接而形成一完整二极管元件结构，此元件结构除第一电极、第二电极的电极板外的晶组间及其外围均填充绝缘物质。

2.如权利要求1所述的多段式双串联多晶组结构二极管元件，其特征在于，该2N个晶组的每个晶组是依电性需求做垂直性调整或扩充，且各晶组的层数相同，或依电性需求不同做不同层数及或不同类别组合，即当M_i为整数，M_i≧0，为各晶组的层数，i＝1～2N为各晶组的序号，若M_MAX为M_i中的最大数值，则M_MAX≧M_i，且M_MAX≧1，元件的各晶组的层数关系则以M₁,M₂,M₃,……,M_2N-1,M_2N表示之；当各晶组间层数不同时，即M_i≠M_MAX，其晶组厚度差以相应厚度的铜粒或导电金属补充取代。

3.如权利要求1所述的多段式双串联多晶组结构二极管元件，其特征在于，该2N个晶组中任一晶组是被另一并联新晶组所取代而与除该任一晶组外的2N－1个其他晶组串联，形成一包含串联、并联、多段式双串联晶组结构的元件。

4.如权利要求1所述的多段式双串联多晶组结构二极管元件，其特征在于，或者采用第一类组合：该2N个晶组的每一晶组的电性类别是单一的，为全单向或全双向；或者采用第二类组合：正、反向交错组合及将单向功能晶组与双向功能晶组组合，所有组合结构均为多段式双串联结构。

5.如权利要求4所述的多段式双串联多晶组结构二极管元件，其特征在于，所述的各类组合中若因封装尺寸要求限制，实际电性需求并不需要足2N个晶组组合时，则不足的晶组以相应厚度的铜粒或导电金属取代之。