[实用新型]一种铁电场调控的二维材料PN结光电探测器有效
| 申请号： | 201920411692.7 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN209929345U | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王建禄;吴广健;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 31311 上海沪慧律师事务所 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维半导体 二维材料 光电探测 双极性 衬底 铁电 空穴 极化方向相反 压电力显微镜 制备金属电极 电子束光刻 光电探测器 剥离工艺 电场调控 电流信号 光伏能源 机械剥离 金属电极 快速响应 器件结构 器件制备 铁电薄膜 铁电材料 外加电压 紫外光刻 暗电流 低功耗 功能层 局域场 热蒸发 形成面 探测器 导电 可用 旋涂 绝缘 制备 光照 灵敏 测量 转换 调控 | ||
【权利要求书】：
1.一种铁电场调控的二维材料PN结光电探测器，包括绝缘衬底(1)，二维半导体(2)、金属电极(3)、铁电功能层(4)，其特征在于：
所述的光电探测器的结构为：自下而上依次为：绝缘衬底(1)，二维半导体(2)、金属电极(3)、铁电功能层(4)；其中：
所述的衬底(1)为具有二氧化硅层的硅衬底；
所述的二维半导体(2)为双极性过渡金属化合物，厚度在10-15纳米；
所述的金属电极(3)为铬金复合电极，铬厚度为10纳米，金厚度为20纳米；
所述的铁电功能层(4)为聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
