[实用新型]一种三电平T字型拓扑结构以及单相逆变器和三相逆变器

权利要求书

1.一种三电平T字型拓扑结构，其特征在于，包括：电容支路、中点连接支路、半桥支路及输出电感；其中：

所述半桥支路的第一端与正母线相连，所述半桥支路的第二端与负母线相连；

所述半桥支路的第三端与所述中点连接支路的一端相连，连接点与所述输出电感的一端相连；所述输出电感的另一端作为所述三电平T字型拓扑结构的输出端；

所述电容支路的第一电源端与所述正母线相连，第二电源端与所述负母线相连；所述电容支路的中点与所述中点连接支路的另一端相连；

其中，所述半桥支路中的开关管均为碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管SiC-MOSFET。

2.根据权利要求1所述的三电平T字型拓扑结构，其特征在于，所述中点连接支路，包括：第一开关模块和第二开关模块；其中：

所述第一开关模块的发射极和所述第二开关模块的发射极相连；所述第二开关模块的集电极与所述半桥支路的第三端相连；所述第一开关模块的集电极与所述电容支路的中点相连；或者，

所述第一开关模块的集电极和所述第二开关模块的集电极相连；所述第一开关模块的发射极与所述半桥支路的第三端相连；所述第二开关模块的发射极与所述电容支路的中点相连。

3.根据权利要求1所述的三电平T字型拓扑结构，其特征在于，所述半桥支路，包括：

集电极作为所述半桥支路的第一端的第三开关模块；

集电极与所述第三开关模块的发射极相连、发射极作为所述半桥支路的第二端的第四开关模块；

其中，所述第三开关模块的发射极与所述第四开关模块的集电极的连接点作为所述半桥支路的第三端。

4.根据权利要求2所述的三电平T字型拓扑结构，其特征在于，所述第一开关模块和所述第二开关模块中的开关管均为绝缘栅双极型晶体管IGBT；或，所述第一开关模块和所述第二开关模块中的开关管均为硅-金属氧化物半导体场效应晶体管Si-MOSFET。

5.根据权利要求2所述的三电平T字型拓扑结构，其特征在于，所述第一开关模块和所述第二开关模块集成在同一模组内，或，所述第一开关模块和所述第二开关模块为相互独立的元器件；

所述第一开关模块包括单个开关管，或者，至少两个并联连接的开关管；所述第二开关模块包括单个开关管，或者，至少两个并联连接的开关管；其中，所述第一开关模块及所述第二开关模块中的开关管均带有反向并联的二极管。

6.根据权利要求3所述的三电平T字型拓扑结构，其特征在于，所述第三开关模块和所述第四开关模块集成在同一模组内，或，所述第三开关模块和所述第四开关模块为相互独立的元器件；

所述第三开关模块包括单个开关管，或者，至少两个并联连接的开关管；所述第四开关模块包括单个开关管，或者，至少两个并联连接的开关管；其中，所述第三开关模块及所述第四开关模块中的开关管均带有反向并联的二极管。

7.根据权利要求1所述的三电平T字型拓扑结构，其特征在于，所述电容支路，包括：

一端作为所述电容支路的第一电源端的第一电容模块；

一端作为所述电容支路的第二电源端的第二电容模块；

其中，所述第一电容模块的另一端与所述第二电容模块的另一端相连，连接点作为所述电容支路的中点。

8.根据权利要求7所述的三电平T字型拓扑结构，其特征在于，所述第一电容模块由单个电容组成，或者，由至少两个并联连接的电容组成；所述第二电容模块由单个电容组成，或者，由至少两个并联连接的电容组成。