[实用新型]一种功率放大器及芯片有效
| 申请号： | 201920414611.9 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN209659249U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 龙海波;王虹;钱永学;孟浩;叶晓斌;黄鑫 | 申请（专利权）人： | 北京昂瑞微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H03F3/195;H03F3/42 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宝筠<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率放大器 功放模块 工作电压 高增益 架构 线性功率放大器 射频输出信号 单级放大 多路通道 符合条件 功率合成 功率需求 射频信号 应用条件 高功率 高线性 驱动级 功放 申请 调试 放大 芯片 分解 门槛 | ||
1.一种功率放大器，其特征在于，包括：第一功放模块，输入端通过集总元功率分配器与所述第一功放模块的输出端相连的多个第二功放模块，以及，同时与所述多个第二功放模块的输出端相连的集总元功率合成器；其中，
所述第一功放模块用于对输入的射频信号进行单级放大，得到单级放大射频信号；
所述集总元功率分配器用于将所述单级放大射频信号分配给所述多个第二功放模块；
所述多个第二功放模块用于分别将所述集总元功率分配器分配的单级放大射频信号进行多级放大，得到多个多级放大射频子信号；
所述集总元功率合成器用于将所述多个多级放大射频子信号进行合成，得到射频输出信号，并输出。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，还包括设置于所述第一功放模块和所述集总元功率分配器之间的衰减隔离器，其中，
所述衰减隔离器用于将所述第一功放模块与所述第二功放模块进行射频隔离。
3.根据权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述衰减隔离器为T型电阻衰减器或π型电阻衰减器。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的功率放大器，其特征在于，所述集总元功率分配器为集总元件双通道3dB Wilkinson功率分配器，所述集总元功率合成器为集总元件双通道3dB Wilkinson功率合成器；
或者，所述集总元功率分配器为集总元件多通道Wilkinson功率分配器，所述集总元功率合成器为集总元件多通道Wilkinson功率合成器。
5.一种功率放大器芯片，其特征在于，该芯片为基于权利要求1-4任意一项所述的功率放大器的芯片，包括：
芯片基板；
集成于所述芯片基板上的所述第一功放模块的GaAs HBT晶圆；
集成于所述芯片基板上的多个所述第二功放模块的GaAs HBT晶圆；
以及，以贴片和布线方式设置的集总元功率分配器和集总元功率合成器。
6.根据权利要求5所述的功率放大器芯片，其特征在于，该芯片还包括：通过贴片电阻设置的衰减隔离器。
7.根据权利要求6所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述衰减隔离器贴片设置于所述芯片基板上，或者，在片设计于所述第一功放模块的GaAs HBT晶圆上。
8.根据权利要求5-7任意一项所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述集总元功率分配器贴片设置于所述芯片基板上，或者，在片设计于所述第一功放模块的GaAs HBT晶圆上。
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