[实用新型]太阳能电池及太阳能电池组件

说明书

本实用新型公开了一种太阳能电池及太阳能电池组件。一种太阳能电池，所述太阳能电池包括衬底及设于所述衬底表面的太阳能电池芯片，所述衬底包括基板及设于所述基板表面的氮化硅层，所述太阳能电池芯片设于所述氮化硅层的表面，所述氮化硅层的厚度为20nm～330nm。上述的太阳能电池，衬底包括基板及设于基板表面的氮化硅层，氮化硅层的颜色随着厚度的增加会发生变化，能给予太阳能电池一定颜色可选择性。

技术领域

本实用新型涉及太阳能技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及太阳能电池组件。

背景技术

太阳能资源丰富，分布广泛，是一种最具有发展潜力的可再生资源。随着全球能源短缺和环境污染等问题日益突出，太阳能发电因其清洁、安全、便利、高效的特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。

太阳能电池能将光能转换为电能而得到了广泛的应用。一般而言，太阳能电池包括衬底及电池芯片。由于受电池芯片结构及材质的限制，整个太阳能电池的颜色较为单一，这样就限制了太阳能电池的应用。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种能给予一定颜色可选择性的太阳能电池及太阳能电池组件。

一种太阳能电池，所述太阳能电池包括衬底及设于所述衬底表面的太阳能电池芯片，所述衬底包括基板及设于所述基板表面的氮化硅层，所述太阳能电池芯片设于所述氮化硅层的表面，所述氮化硅层的厚度为20nm～330nm。

上述的太阳能电池，衬底包括基板及设于基板表面的氮化硅层，氮化硅层的颜色随着厚度的增加会发生变化，能给予太阳能电池一定颜色可选择性；比如氮化硅层的厚度小于20nm呈现硅本色，氮化硅层的厚度为20nm～40nm则呈现棕色，氮化硅层的厚度为40nm～55nm呈现金褐色，氮化硅层的厚度为55nm～73nm呈现红色，氮化硅层的厚度为73nm～77nm呈现深蓝色，氮化硅层的厚度为77nm～93nm呈现蓝色，氮化硅层的厚度为93nm～100nm呈现灰蓝色，氮化硅层的厚度为100nm～110nm呈现深灰蓝色，氮化硅层的厚度为110nm～120nm呈现硅本色，氮化硅层的厚度为120nm～130nm呈现浅黄色，氮化硅层的厚度为130nm～150nm呈现黄色，氮化硅层的厚度为150nm～180nm呈现桔红色，氮化硅层的厚度为180nm～190nm呈现红色，氮化硅层的厚度为190nm～210nm呈现暗红色，氮化硅层的厚度为210nm～230nm呈现蓝色，氮化硅层的厚度为230nm～250nm呈现蓝绿色，氮化硅层的厚度为250nm～280nm呈现浅绿色，氮化硅层的厚度为280nm～300nm呈现桔黄色，氮化硅层的厚度为300nm～330nm呈现红色，从而可以通过调整氮化硅层的厚度实现太阳能电池多颜色的呈现。

一种太阳能电池组件，其特征在于，包括上述的太阳能电池。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本实用新型技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本实用新型的技术方案，并不构成对本实用新型技术方案的限制。

图1为一实施方式的太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。