[实用新型]微机电泵

权利要求书

1.一种微机电泵，其特征在于，包含：

一第一基板，具有多个流入孔，该多个流入孔呈锥形；

一第一氧化层，叠设该第一基板，该第一氧化层具有多个汇流通道及一汇流腔室，该多个汇流通道连通于该汇流腔室及该多个流入孔之间；

一第二基板，结合至该第一基板，包含：

一硅芯片层，具有：

一致动部，呈圆形，具有一极限应力值及一作动应力值；

一外周部，呈中空环状，环绕于该致动部的外围；

多个连接部，分别连接于该致动部与该外周部之间；以及

多个流体通道，环绕于该致动部的外围，且分别位于该多个连接部之间；

一第二氧化层，形成于该硅芯片层上，呈中空环状，并与该硅芯片层定义一振动腔室；

一硅材层，呈圆形，位于该第二氧化层且结合至该第一氧化层，具有：

一穿孔，形成于该硅材层的中心；

一振动部，位于该穿孔的周边区域；以及

一固定部，位于该硅材层的周缘区域；以及

一压电组件，呈圆形，叠设于该硅芯片层的该致动部，具有一压电应力值；

其中，该极限应力值大于该作动应力值，该作动应力值大于该压电应力值。

2.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该压电组件更包含：

一下电极层；

一压电层，叠置于该下电极层；

一绝缘层，铺设于该压电层的部分表面及该下电极层的部分表面；以及

一上电极层，叠置于该绝缘层及该压电层未设有绝缘层的其余表面，用以与该压电层电性连接。

3.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第一基板为一硅芯片(Si wafer)。

4.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第二基板为一绝缘层上覆硅的硅芯片(SOI wafer)。

5.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第一基板的厚度介于150至400微米(μm)之间。

6.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第二基板的该硅材层的厚度介于2至5微米(μm)之间。

7.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第二基板的硅芯片层的厚度介于10至20微米(μm)之间。

8.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该第一氧化层的厚度大于该第二氧化层的厚度。

9.如权利要求8所述的微机电泵，其特征在于，该第一氧化层的厚度界于10至20微米(μm)之间。

10.如权利要求8所述的微机电泵，其特征在于，该第二氧化层的厚度介于0.5至2微米(μm)之间。

11.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该极限应力值是为200百万帕(Mpa)。

12.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该作动应力值是介于120至160百万帕(Mpa)之间。

13.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该压电应力值是介于30至60百万帕(Mpa)之间。

14.如权利要求1所述的微机电泵，其特征在于，该致动部包含一极限频率及一作动频率，该作动频率低于该极限频率。

15.如权利要求14所述的微机电泵，其特征在于，该极限频率是为2百万赫兹(Mhz)。

16.如权利要求14所述的微机电泵，其特征在于，该作动频率是介于0.8至1.9百万赫兹(Mhz)之间。