[实用新型]一种MEMS皮拉尼真空计

权利要求书

1.一种MEMS皮拉尼真空计，其特征在于，包括衬底和悬置结构，所述衬底具有凹槽，所述悬置结构设于所述凹槽的上方；

所述悬置结构包括平台、第一电阻元件和悬臂梁，所述平台通过所述悬臂梁与所述衬底相连，所述第一电阻元件设置于所述平台远离所述凹槽的一侧，所述第一电阻元件为面内回转结构分布；

所述衬底的顶面设有第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电阻元件的第一端从所述悬臂梁上引出，并与所述第一电极相连，所述第一电阻元件的第二端从所述悬臂梁上引出，并与所述第二电极相连；其中，所述顶面为靠近所述凹槽开口的外周面；

所述衬底的顶面还设有第二电阻元件，所述第二电阻元件环绕所述悬置结构设置，所述第二电阻元件的一端与所述第一电极相连，所述第二电阻元件的另一端与所述第三电极相连。

2.根据权利要求1所述的MEMS皮拉尼真空计，其特征在于：所述第二电阻元件为面内回转结构分布。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS皮拉尼真空计，其特征在于：所述第一电阻元件的长度与所述第二电阻元件的长度相等。

4.根据权利要求1所述的MEMS皮拉尼真空计，其特征在于：所述悬置结构包括四个所述悬臂梁，四个所述悬臂梁间隔且均匀分布于所述平台的外围，所述悬臂梁的一端与所述平台连接，所述悬臂梁的另一端与所述衬底连接。

5.根据权利要求1所述的MEMS皮拉尼真空计，其特征在于：所述第一电阻元件沿所述衬底的长度或宽度方向连续回转折弯设有多个弯折。

6.根据权利要求2所述的MEMS皮拉尼真空计，其特征在于：所述第二电阻件元件连续回转折弯形成多圈环绕所述悬置结构分布的电阻结构。

7.根据权利要求6所述的MEMS皮拉尼真空计，其特征在于：相邻两圈电阻的间距相等。

8.根据权利要求1所述的MEMS皮拉尼真空计，其特征在于：所述凹槽的槽底与所述平台之间的距离为8-12μm。

9.根据权利要求1所述的MEMS皮拉尼真空计，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极呈对角设置于所述凹槽的外周，所述第一电极和所述第三电极之间的距离小于所述第一电极和所述第二电极之间的距离。

10.根据权利要求1所述的MEMS皮拉尼真空计，其特征在于：所述皮拉尼真空计还包括顶盖，所述顶盖设置于所述衬底具有凹槽开口的一侧，所述顶盖的底部设有多个彼此间隔的连接部，所述顶盖通过所述连接部与所述衬底相连；和/或，

所述皮拉尼真空计还包括基底，所述基底设置于所述衬底的底面一侧，其中，所述底面与所述顶面相对。