[实用新型]IGBT互锁驱动电路及芯片和电子设备有效
申请号: | 201920435611.7 | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN209545433U | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 陈海飞;江东升;黄超信;许永志 | 申请(专利权)人: | 漳州科华技术有限责任公司;科华恒盛股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/38 | 分类号: | H02M1/38;H02M1/08 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 郝伟 |
地址: | 363005 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动电路 控制器 互锁 本实用新型 电子设备 输入端 上拉电阻 下拉电阻 芯片 输出端 电路技术领域 原始驱动信号 互锁电路 基准电位 直流电源 低电平 断开 防护 截止 | ||
本实用新型适用于电路技术领域,提供了一种IGBT互锁驱动电路及芯片和电子设备,其中,所述IGBT互锁驱动电路包括:下拉电阻、上拉电阻和控制器;下拉电阻连接在基准电位与控制器的第一输入端之间;上拉电阻连接在直流电源与控制器的第二输入端之间。本实用新型实施例提供的IGBT互锁驱动电路及芯片和电子设备,在IGBT原始驱动信号因干扰等原因意外断开时,控制器的第一输入端能够保持低电平输入,从而使得控制器的第一输出端相对第二输出端为低,进而使与本实用新型实施例提供的IGBT互锁驱动电路相连接的第一IGBT截止,从而有效防护互锁电路因干扰引起的误导通问题。
技术领域
本实用新型属于电路技术领域,尤其涉及一种IGBT互锁驱动电路及芯片和电子设备。
背景技术
在众多拓扑结构中,例如T型三电平和I型三电平拓扑结构,其中的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管,简称IGBT)由于存在一些时序原因,两个IGBT之间需要互补,不允许共同导通。在这种情况下,两个IGBT之间的驱动需要做互锁保护,方能更好的保护电路。普通的互锁电路一般设置在主控芯片的输出端附近,但不能有效的防止由于互锁电路到IGBT之间的驱动电路受到干扰而引起的误导通。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种IGBT互锁驱动电路及芯片和电子设备,以解决现有技术无法有效防护设置在主控芯片的输出端附近的互锁电路因干扰引起的误导通的问题。
根据第一方面,本实用新型实施例提供了一种IGBT互锁驱动电路,包括:下拉电阻、上拉电阻和控制器;所述下拉电阻的一端与基准电位连接,另一端与所述控制器的第一输入端连接;所述控制器的第一输入端还与第一IGBT原始驱动信号连接;所述上拉电阻的一端与直流电源连接,另一端与所述控制器的第二输入端连接;所述控制器的第二输入端还与第二IGBT原始驱动信号连接;当所述控制器的第一输入端为高电平且第二输入端为低电平时,所述控制器的第一输出端相对于第二输出端为高电平输出;当所述控制器的第二端输入端为高电平时,所述控制器的第一输出端相对于第二输出端为低电平输出。
本实用新型实施例提供的IGBT互锁驱动电路,由于在控制器的第一输入端与基准电位之间增设下拉电阻,使得当与控制器的第一输入端连接的第一IGBT原始驱动信号由于干扰等原因断开时,控制器的第一输入端能够保持低电平输入,从而使得控制器的第一输出端相对第二输出端为低,进而使与本实用新型实施例提供的IGBT互锁驱动电路相连接的第一IGBT截止,从而有效防护设置在主控芯片的输出端附近的互锁电路因干扰引起的误导通的问题。
结合第一方面,在第一方面第一实施方式中,所述IGBT互锁驱动电路还包括与所述下拉电阻并联的第一滤波电容。
本实用新型实施例提供的IGBT互锁驱动电路,通过在控制器的第一输入端接入滤波电容,实现了高频滤波,能够有效防止高频干扰引起的IGBT驱动误动作,有利于进一步提高IGBT互锁驱动保护的可靠性。
结合第一方面,在第一方面第二实施方式中,所述IGBT互锁驱动电路还包括与所述上拉电阻并联的第二滤波电容。
本实用新型实施例提供的IGBT互锁驱动电路,通过在控制器的第二输入端接入滤波电容,实现了高频滤波,能够有效防止高频干扰引起的IGBT驱动误动作,有利于进一步提高IGBT互锁驱动保护的可靠性。
结合第一方面,在第一方面第三实施方式中,所述IGBT互锁驱动电路还包括第一限流电阻;所述第一限流电阻的一端与所述第一IGBT原始驱动信号连接,所述第一限流电阻的另一端与所述控制器的第一输入端连接。
本实用新型实施例提供的IGBT互锁驱动电路,通过在控制器的第一输入端接入限流电阻,实现对控制器的输入限流保护,能够有效防止大电流对控制器的干扰,有利于进一步提高IGBT互锁驱动保护的可靠性。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
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