[实用新型]一种基于集成基片间隙波导的圆极化缝隙天线有效

专利信息
申请号: 201920435981.0 申请日: 2019-04-02
公开(公告)号: CN210111030U 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 申东娅;尤丹丹;张秀普 申请(专利权)人: 云南大学
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q5/30;H01Q13/10
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 韩雪
地址: 650091 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 集成 间隙 波导 极化 缝隙 天线
【权利要求书】:

1.一种基于集成基片间隙波导的圆极化缝隙天线,包括上层介质板(1),中间层介质板(2),下层介质板(3),其特征在于:

所述上层介质板(1)的上表面印刷有第一敷铜层(9),上层介质板(1)的下表面印刷有馈电微带线(6),在第一敷铜层(9)靠近中间位置处蚀刻有矩形缝隙(8);所述矩形缝隙(8)上设有微扰结构(13),以此产生两个正交电场分量;

所述下层介质板(3)的上表面设有若干金属圆形贴片(10),下层介质板(3)的下表面印刷有第二敷铜层(4);下层介质板(3)上打有若干金属过孔(5),所述金属过孔(5)与圆形贴片(10)的中间以及第二敷铜层(4)贯通连接,一起组成蘑菇状的EBG阵列结构;

所述中间层介质板(2)分隔上层介质板(1)和下层介质板(3),使上层介质板(1)和下层介质板(3)之间形成间隙;

所述上层介质板(1)、中间层介质板(2)、下层介质板(3)粘合在一起,形成一个整体;

所述上层介质板(1)上的第一敷铜层(9)为PEC,下层介质板(3)形成PMC;

所述上层介质板(1),中间层介质板(2),下层介质板(3),第一敷铜层(9),馈电微带线(6),EBG阵列结构,以及第二敷铜层(4)共同构成ISGW结构;

所述微扰结构(13)包括在矩形缝隙(8)的两个对角位置分别设置的小矩形金属贴片一(11)和金属贴片二(12)。

2.如权利要求1所述的基于集成基片间隙波导的圆极化缝隙天线,其特征在于:所述馈电微带线(6)的一端设为馈电端口(7),馈电端口(7)设置于ISGW结构一个边的边缘;所述馈电微带线(6)的另一端延伸至矩形缝隙(8)的下方,以激励该缝隙产生辐射。

3.如权利要求2所述的基于集成基片间隙波导的圆极化缝隙天线,其特征在于:所述馈电微带线(6)的另一端延伸至矩形缝隙(8)的中间位置时,获得更好的回波损耗和轴比;所述矩形缝隙(8)大小固定,加长或缩短馈电微带线(6)长度时,回波损耗变化大于轴比变化。

4.如权利要求3所述的基于集成基片间隙波导的圆极化缝隙天线,其特征在于:根据需要产生的工作频带,适当选取EBG阵列结构中圆形贴片(10)和金属过孔(5)的尺寸以及EBG阵列结构的周期,使EBG阵列结构的阻带与ISGW所传播的电磁波频带相适应。

5.如权利要求1至4任一项所述的基于集成基片间隙波导的圆极化缝隙天线,其特征在于:所述金属贴片一(11)的宽边值固定、长边值升高时,天线的阻抗带宽和轴比带宽保持不变;所述金属贴片一(11)的长边值固定、宽边值升高时,天线的阻抗带宽变宽,轴比带宽变窄;所述金属贴片二(12)的宽边值固定、长边值升高时,天线的阻抗带宽变宽,轴比带宽变窄;所述金属贴片二(12)的长边值固定、宽边值升高时,天线的阻抗带宽变宽,轴比带宽变窄。

6.如权利要求5所述的基于集成基片间隙波导的圆极化缝隙天线,其特征在于:所述金属过孔(5)、圆形贴片(10)、金属贴片一(11)和金属贴片二(12)均为铜质材料。

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