[实用新型]光电子装置及其阵列

权利要求书

1.一种光电子装置，其特征在于，所述光电子装置包括：

光学活性区域，所述光学活性区域具有用于在所述光学活性区域上施加电场的电极布置；

第一弯曲波导，所述第一弯曲波导被布置成引导光进入所述光学活性区域中；以及

第二弯曲波导，所述第二弯曲波导被布置成引导光离开所述光学活性区域；

其中所述第一弯曲波导和所述第二弯曲波导由带隙不同于所述光学活性区域的带隙的材料形成，并且其中由所述第一弯曲波导、所述光学活性区域和所述第二弯曲波导形成的总引导路径是U形的。

2.根据权利要求1所述的光电子装置，其特征在于，所述第一弯曲波导和/或所述第二弯曲波导形成为量子阱互混或再生长波导。

3.根据权利要求2所述的光电子装置，其特征在于，所述第一弯曲波导与所述第二弯曲波导之间的最大距离不大于250μm。

4.根据权利要求3所述的光电子装置，其特征在于，所述第一弯曲波导和/或所述第二弯曲波导的曲率半径小于100μm。

5.根据权利要求4所述的光电子装置，其特征在于，所述第一弯曲波导和所述第二弯曲波导各自弯曲90°的角度。

6.根据权利要求5所述的光电子装置，其特征在于，所述电极布置还包括第一电极和第二电极，所述电极安置在所述光学活性区域的第一侧上并且电连接到所述光学活性区域。

7.根据权利要求6所述的光电子装置，其特征在于，所述第一电极是信号电极，并且所述第二电极是接地电极。

8.根据权利要求7所述的光电子装置，其特征在于，所述光电子装置还包括第三电极，所述第三电极是第二接地电极。

9.根据权利要求8所述的光电子装置，其特征在于，所述光电子装置被配置成作为电吸收调制器操作。

10.根据权利要求9所述的光电子装置，其特征在于，所述第一弯曲波导和所述第二弯曲波导是低损耗无源波导。

11.根据权利要求10所述的光电子装置，其特征在于，所述第一弯曲波导和/或所述第二弯曲波导是深刻蚀波导。

12.根据权利要求11所述的光电子装置，其特征在于，所述深刻蚀波导由磷化铟形成。

13.根据权利要求12所述的光电子装置，其特征在于，所述光电子装置还包括：

输入波导，所述输入波导耦合到所述第一弯曲波导或作为所述第一弯曲波导的延续部分提供；以及

输出波导，所述输出波导耦合到所述第二弯曲波导或作为所述第二弯曲波导的延续部分提供；

其中所述输入波导和所述输出波导中的每一者具有邻近于所述光电子装置的第一边缘的末端。

14.根据权利要求13所述的光电子装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极邻近于所述光电子装置的不同于所述第一边缘的边缘而安置。

15.根据权利要求1-12中任一项所述的光电子装置，其特征在于，所述光电子装置还包括：分布反馈激光器，所述分布反馈激光器耦合到所述第一弯曲波导；以及

输出波导，所述输出波导耦合到所述第二弯曲波导或作为所述第二弯曲波导的延续部分提供；

使得所述光电子装置是电吸收调制激光器。

16.根据权利要求15所述的光电子装置，其特征在于，所述分布反馈激光器由带隙与所述光学活性区域的带隙相同的材料形成。