[实用新型]一种抗干扰型雷电流波形记录装置有效
申请号: | 201920455681.9 | 申请日: | 2019-04-05 |
公开(公告)号: | CN209764938U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 赵祥;赵图良;畅晓鹏;吴和然;潘汉彬;彭勇 | 申请(专利权)人: | 四川电安智能科技有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 610041 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 雷击电流 雷电流波形 记录装置 强电磁环境 调理电路 发生时刻 抗干扰 行波 剔除 数据传输功能 本实用新型 第二传感器 第一传感器 参数设置 触发电路 存储模块 供电单元 历史记录 内存模块 在线监测 记录 键盘 采集 展示 | ||
1.一种抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:包括第一传感器CH1、第二传感器CH2、第一行波调理电路AMP1、第二行波调理电路AMP2、触发电路Trig、LCD显示屏、键盘、内存模块DDR SDRAM、存储模块EMMC、485总线、FPGA芯片、ADC芯片、DSP芯片、供电单元,所述第一传感器CH1的输出端与第一行波调理电路AMP1的输入端相连,所述第二传感器CH2的输出端与第二行波调理电路AMP2的输入端相连,所述触发电路Trig的输入端分别与第一传感器CH1的输出端、第二传感器CH2的输出端相连,所述触发电路Trig的输出端、第一行波调理电路AMP1的输出端、第二行波调理电路AMP2的输出端分别与ADC芯片相连,所述ADC芯片、内存模块DDR SDRAM、DSP芯片分别与FPGA芯片相连,所述内存模块DDR SDRAM、存储模块EMMC、485总线、LCD显示屏、键盘分别与DSP芯片相连,所述供电单元分别与第一传感器CH1、第二传感器CH2、第一行波调理电路AMP1、第二行波调理电路AMP2、触发电路Trig、LCD显示屏、键盘、内存模块DDR SDRAM、存储模块EMMC、485总线、FPGA芯片、ADC芯片、DSP芯片供电连接。
2.如权利要求1所述的抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:所述第一传感器CH1、第二传感器CH2均为H-FCT-200电流传感器。
3.如权利要求1所述的抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:所述第一传感器CH1、第二传感器CH2共同组成一个罗氏双通道线圈,所述罗氏双通道线圈包括环形的非铁磁材料骨架(3)、第一铜导线(1)、第二铜导线(2),所述第一铜导线(1)、第二铜导线(2)分别缠绕在环形的非铁磁材料骨架(3)上,第一铜导线(1)、第二铜导线(2)互相并列且平行设置,第一铜导线(1)的输出端与第一行波调理电路AMP1的输入端相连,第二铜导线(2)的输出端与第二行波调理电路AMP2的输入端相连。
4.如权利要求1所述的抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:所述LCD显示屏为M24S1309显示屏,所述键盘为4键薄膜键盘。
5.如权利要求1所述的抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:所述内存模块DDRSDRAM为MT41K128M8DA-107内存模块。
6.如权利要求1所述的抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:所述存储模块EMMC为KLM8G1GESD-B03P存储模块。
7.如权利要求1所述的抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:所述485总线为MAX3485总线。
8.如权利要求1所述的抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:所述FPGA芯片为XILINX SPARTAN6 XC6SLX45 FPGA芯片。
9.如权利要求1所述的抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:所述ADC芯片为ADC3221 ADC芯片。
10.如权利要求1所述的抗干扰型雷电流波形记录装置,其特征在于:所述DSP芯片为DSP-BF531SBSTZ400DSP芯片。
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