[实用新型]一种温度测量装置有效
申请号: | 201920458973.8 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN209689771U | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 刘召军;刘弈镈;张珂;闫思吴 | 申请(专利权)人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
主分类号: | G01K7/01 | 分类号: | G01K7/01 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 孟金喆<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压检测电路 温度测量装置 本实用新型 恒流电路 温度测量 电连接 输出检测 电极 恒定的 测量 | ||
本实用新型实施例公开了一种温度测量装置。其中温度测量装置包括恒流电路、Micro‑LED以及电压检测电路;恒流电路与Micro‑LED电连接,用于向Micro‑LED输入恒定的第一电流,其中,第一电流小于Micro‑LED发光时的电流阈值;电压检测电路与Micro‑LED电连接,用于测量Micro‑LED的两个电极之间的电压,并输出检测温度。本实用新型实施例的技术方案,解决温度测量的问题,实现快速高精度的温度测量。
技术领域
本实用新型实施例涉及温度测量技术,尤其涉及一种温度测量装置。
背景技术
在科学研究或工程应用中测量的大多数变量在不同程度上取决于温度这一最常见以及最重要的物理量之一,因此,对于温度的传感也显得尤为重要。
现有的二极管温度传感器多为硅基二极管,具体工艺为体硅(bulk silicon)工艺和SOI(Silicon on Insulator,即硅晶体管结构在绝缘体之上)工艺两种,体硅工艺的温度传感区间为-55℃~150℃,SOI工艺的温度传感区间为-55℃~200℃,在此区间外则表现出很差的传感准确性。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种温度测量装置,以实现快速高精度温度测量。
本实用新型实施例提供一种温度测量装置,包括恒流电路、Micro-LED以及电压检测电路;
所述恒流电路与所述Micro-LED电连接,用于向所述Micro-LED输入恒定的第一电流,其中,所述第一电流小于所述Micro-LED发光时的电流阈值;
所述电压检测电路与所述Micro-LED电连接,用于测量所述Micro-LED的两个电极之间的电压,并输出检测温度。
可选的,所述电压检测电路包括电压放大子电路与电压检测子电路,所述电压放大子电路与所述Micro-LED电连接,用于放大所述Micro-LED的两个电极输出的电压;
所述电压检测子电路与所述电压放大子电路电连接,用于测量所述电压放大子电路输出电压,并输出检测温度。
可选的,包括多个Micro-LED串联。
可选的,多个所述Micro-LED以阵列形状排列。
可选的,所述恒流电路还用于向多个所述Micro-LED输入恒定的第二电流,以使多个所述Micro-LED发光。
可选的,所述Micro-LED包括:
衬底;
设置于所述衬底,并沿远离所述衬底方向依次层叠设置的n型层、有源层、p型层以及设置于所述n型层上的n型电极和设置于所述p型层上的p型电极。
可选的,所述Micro-LED的p型层和n型层包括氮化镓基材料或砷化镓基材料;
所述有源层包括多个量子阱周期结构,每个所述量子阱周期结构包括层叠设置的氮化镓层与铟镓氮层。
本实用新型实施例提供的温度测量装置,包括恒流电路、Micro-LED以及电压检测电路;恒流电路与Micro-LED电连接,用于向Micro-LED输入恒定的第一电流,其中,第一电流小于Micro-LED发光时的电流阈值;电压检测电路与Micro-LED电连接,用于测量Micro-LED的两个电极之间的电压,并输出检测温度。利用Micro-LED正向偏压的温度依赖性,通过恒流电路向Micro-LED输入恒定的小于发光阈值的第一电流,通过电压检测电路测量Micro-LED的两个电极之间的电压,并根据电压与温度的关系,输出检测温度,解决温度测量的问题,实现快速高精度的温度测量。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种温度测量装置的结构示意图;
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