[实用新型]一种多光敏区特高压光控晶闸管

权利要求书

1.一种多光敏区特高压光控晶闸管，其特征在于：从横向看，将光控晶闸管的阴极(4)面均匀分成四个部分，每一部分包括一个光敏区(1)、一个放大门极(2)、第一、第二、第三、第四、第五放大门极延伸枝条(3a、3b、3c、3d、3e)，共用的阴极(4)、共用的台面(5)、背面为共用的阳极(6)，光敏区(1)位于均匀分隔的半导体芯片四部分每部分的中心，为圆形，光敏区(1)的外端设有环状的放大门极(2)，光敏区(1)与放大门极(2)间设有环状的隔离间距(7)，放大门极(2)四个方向上设有第一、第二、第三、第四放大门极延伸枝条(3a、3b、3c、3d)，其中，第一和第三放大门极延伸枝条(3a、3d)为一条线段状支干，第二和第四放大门极延伸枝条(3b、3c)为圆弧状支干，在第四放大门极延伸枝条(3d)远离光敏区(1)一端设有圆弧状第五放大门极延伸枝条(3e)，第一、第二、第三、第四、第五放大门极延伸枝条(3a、3b、3c、3d、3e)与深入每部分阴极内部，均匀分隔每部分阴极区域，放大门极(2)、第一、第二、第三、第四、第五放大门极延伸枝条(3a、3b、3c、3d、3e)与阴极(4)间设有隔离槽(8)，器件的最外端设有台面(5)圆环与阴极(4)相连；从纵向看，分为四层二端四光敏区结构，四层分别为N₂⁺层、P₂+P₂⁺层、P₁⁺+P₁层、N^-层；二端为A端、K端，阴极(4)面形成四个光敏区(1)的光控晶闸管，器件关于x轴、y轴、z轴对称。

2.根据权利要求1所述的一种多光敏区特高压光控晶闸管，其特征在于：N₂⁺层为磷元素掺杂，浓度为1-2X10¹⁹个/cm³，深度为18±2μm；P₁⁺层和P₂⁺层为同一种杂质硼元素掺杂，浓度为4-6X10¹⁸个/cm³，深度为50±5μm；P₁和P₂层为同一种杂质为铝元素掺杂，浓度为1-2X10¹⁴个/cm³,深度为90±10μm；N^-层为区熔高电阻硅单晶，电阻率为500±7％Ω.cm；浓度为1-2X10¹³个/cm³,厚度为1200±10μm，晶向为<111>。

3.根据权利要求1一种多光敏区特高压光控晶闸管，其特征在于：光敏区(1)为圆形，直径为1±0.1mm，浓度为8-9X10¹⁸个/cm³，深度为11±1μm。

4.根据权利要求1所述的所述的一种多光敏区特高压光控晶闸管，其特征在于：放大门极(2)为圆环形，内径为2±0.1mm，外径为17±0.1mm，宽度为15±0.1mm。

5.根据权利要求1所述的所述的一种多光敏区特高压光控晶闸管，其特征在于：第一和第四放大门极延伸枝条(3a、3d)为一根线段状支干，线段状支干宽度为2±0.1mm,长度为10±0.1mm；第二和第三放大门极延伸枝条(3b、3c)是圆弧状支干，圆弧状支干宽度为2±0.1mm,长度均为20±0.1mm，第五放大门极延伸枝条(3e)是圆弧状支干，宽度为2±0.1mm,长度为54±0.1mm。

6.根据权利要求1所述的所述的一种多光敏区特高压光控晶闸管，其特征在于：台面(5)宽度为3.5±0.1mm,深度为12±1μm。

7.根据权利要求1所述的所述的一种多光敏区特高压光控晶闸管，其特征在于：隔离间距(7)将光敏区(1)与放大门极(2)隔离开，宽度为1±0.1mm的圆环。

8.根据权利要求1所述的所述的一种多光敏区特高压光控晶闸管，其特征在于：隔离槽(8)将放大门极(2)、第一、第二、第三、第四、第五放大门极延伸枝条(3a、3b、3c、3d、3e)与阴极(4)隔离开，宽度为0.5±0.01mm，深度为7±1μm。