[实用新型]动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统

说明书

本实用新型公开了一种动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统，包括上电电路、第一上电驱动器以及第二上电驱动器，所述的上电电路产生多个上电信号，包括第一上电信号，第二上电信号和第三上电信号，所述的第一上电驱动器将第一电压信号驱动到晶体管的阱端，作为一个或多个上电信号，所述的第二上电驱动器将第二电压信号发送到晶体管的漏极，作为一个或多个上电信号，其中所述的第一上电信号大于第二上电信号。通过上述，本实用新型提供的动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统，确保第一电压信号在任何时候都等于或大于第二电压信号(包括在各自存储器的上电、待机、激活使用、断电等情况下)，以防止晶体管的闩锁效应。

技术领域

本实用新型涉及动态随机存储器的技术领域，特别是涉及一种动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统。

背景技术

动态随机存储器（DRAM）中有大量的晶体管，如互补的金属氧化物半导体(CMOS)晶体管技术，可能遭遇闩锁效应。CMOS集成电路有n通道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和p通道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。NMOS和PMOS集成电路有四个终端（级），包括漏、源、栅（门）和体。体端有时也称为阱或体端，可以加上偏压。例如，正偏置电压可以加到PMOS晶体管的n型体，负偏置电压可以加到NMOS晶体管的p型体。这些偏置电压增加了晶体管的阈值电压，从而减少了晶体管的漏电流。减少泄漏电流从而减少功耗。

在常用的CMOS集成电路晶体管结构中，掺杂半导体区域形成一对寄生双极晶体管。寄生存在的双极晶体管使CMOS晶体管易受一种称为闩锁效应的不良现象的影响。在闩锁效应期间，寄生双极晶体管中的反馈路径导致CMOS晶体管功能不正常。在严重的情况下，闩锁效应会永久损坏CMOS晶体管和相应的器件。在使用体偏置的集成电路中，闩锁问题尤其严重。因此，需要提供一种存储器，它能防止晶体管的闩锁效应。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统，确保第一电压信号在任何时候都等于或大于第二电压信号(包括在各自存储器的上电、待机、激活使用、断电等情况下)，以防止晶体管的闩锁效应。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供了一种动态随机存储器的晶体管闩锁预防系统，包括上电电路、第一上电驱动器以及第二上电驱动器，所述的上电电路产生多个上电信号，包括第一上电信号，第二上电信号和第三上电信号，所述的第一上电驱动器将第一电压信号驱动到晶体管的阱端，作为一个或多个上电信号，所述的第二上电驱动器将第二电压信号发送到晶体管的漏极，作为一个或多个上电信号，其中所述的第一上电信号大于第二上电信号。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述的第一上电信号由存储器的第一内部电源电压Vdd1生成；所述的第二上电信号由第一上电信号和存储器的第二内部电源电压Vdd2生成；所述的第三上电信号由第二上电信号和存储器的第二内部电源电压Vdd2生成。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述的第一内部电源电压Vdd1大于第二内部电源电压Vdd2。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述的第一上电驱动器包括钳位电路、第一反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一电阻，所述的钳位电路输入多个上电信号、深度休眠信号和外部电源电压，输出一个钳位信号到第一反相器，所述的第一反相器的输出是输入到第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅端，所述的第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二PMOS晶体管采用串行连接，所述的第一电阻连接到第一NMOS晶体管的栅端和外部电源电压，所述的第二PMOS晶体管连接到第二内部电源电压Vdd2和漏端连接到第一PMOS晶体管的漏端，所述的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的漏端提供第一电压信号Vccp。