[实用新型]一种高集成度LED芯片模组全色配光的结构有效
| 申请号： | 201920462072.6 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN209561406U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨大忠 | 申请（专利权）人： | 东莞市铱源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 朱晓光 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 高集成度 配光 全色 荧光粉 薄膜电路 出射光线 电压电流 电源总线 发光器件 光线混合 混合布置 键合工艺 设计位置 芯片模组 制备厚膜 发光区 色坐标 印制板 粘合 出射 膜片 射灯 封装 制备 发光 浇灌 柔和 驱动 制造 | ||
1.一种高集成度LED芯片模组全色配光的结构，其特征在于，所述结构包括：
在长宽或直径皆小于50mm或面积小于2500mm2的聚四氟乙烯印制板（5）之上，制备烧结定型的用导电浆料印刷而成的厚膜集成电路式电源总线；
在电源总线包围的发光区（4）内制备导电薄膜形式的薄膜电路图；
在薄膜电路图中的芯片位置上，粘合了用膜片键合工艺制造的LED芯片，按白光LED（62）、红光LED（61）绿光LED（63）、蓝光LED（64）混合布置在设计位置；
LED芯片与薄膜电路之间有金丝或铝丝的键合连接；
在发光区（4）之上浇灌含荧光粉的封装晶体（9），该封装晶体（9）的厚度高于LED芯片顶面0.5mm～1.5mm。
2.根据权利要求1所述的一种高集成度LED芯片模组全色配光的结构，其特征在于：
所述发光区（4）为一直径14mm的圆形区域，其上混合封装的白光LED（62）、红光LED（61）、绿光LED（63）、蓝光LED（64）总功率为40W。
3.根据权利要求1所述的一种高集成度LED芯片模组全色配光的结构，其特征在于：
所述发光区（4）为一直径6mm的圆形区域，其上混合封装的白光LED（62）、红光LED（61）、绿光LED（63）、蓝光LED（64）总功率为15W。
4.根据权利要求1所述的一种高集成度LED芯片模组全色配光的结构，其特征在于：所述发光区（4）为一直径20mm的圆形区域，其上混合封装的白光LED（62）、红光LED（61）、绿光LED（63）、蓝光LED（64）总功率为60W。
5.根据权利要求1所述的一种高集成度LED芯片模组全色配光的结构，其特征在于：在所述聚四氟乙烯印制板（5）的四角，用厚膜集成电路方法将导电浆料印刷烧结成外接电源正电极（7）、红光LED负电极（82）、白光LED负电极（84）、蓝光LED负电极（83）、绿光LED负电极（85）,并与电源总线连接；对不同颜色LED芯片用不同电压电流驱动，能够使得LED芯片根据需要出射2000K～6000K范围内任意色温和色坐标点光线。
6.根据权利要求5所述的一种高集成度LED芯片模组全色配光的结构，其特征在于：所述对不同颜色LED芯片用不同电压电流驱动，是外接电源正电极（7）上所加电压在30～38V间调节；红光LED电流在0～0.45A，白光LED电流在0～1.2A，蓝光LED电流在0～1.2A，绿光LED电流在0～0.45A间调节。
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