[实用新型]一种肖特基二极管半导体的电荷补偿结构有效
| 申请号： | 201920464090.8 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN209515678U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 郭薛健;曹爱美;谢凯凯;胡婷 | 申请（专利权）人： | 深圳市豪林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) 44439 | 代理人： | 何兵;饶盛添 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电半导体材料 电荷补偿 肖特基二极管 衬底层 内表面 蚀刻槽 多晶 半导体 电场强度分布 补偿区 氧化层 本实用新型 第二金属层 肖特基器件 高压环境 漂移区 上表面 下表面 平坦 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基二极管半导体的电荷补偿结构，包括衬底层(1)，其特征在于：所述衬底层(1)的下表面设置有第二金属层(9)，所述衬底层(1)的上表面设置有补偿区(2)，所述补偿区(2)的正面开设有第二蚀刻槽(6)，所述第二蚀刻槽(6)的内表面设置有氧化层(7)，所述氧化层(7)的内表面设置有多晶导电半导体材料层(8)，所述多晶导电半导体材料层(8)设置在第二蚀刻槽(6)的内表面，所述补偿区(2)的上表面与第一金属层(5)之间通过肖特基势垒区(4)进行连接，所述氧化层(7)和多晶导电半导体材料层(8)的上表面均位于第一金属层(5)的下表面。
2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管半导体的电荷补偿结构，其特征在于：所述补偿区(2)包括第一导电半导体材料层(21)，所述第一导电半导体材料层(21)的正面开设有第一蚀刻槽(3)，所述第一蚀刻槽(3)的内表面设置有第二导电半导体材料层(21)。
3.根据权利要求2所述的一种肖特基二极管半导体的电荷补偿结构，其特征在于：所述第一蚀刻槽(3)和第二蚀刻槽(6)均使用蚀刻技术进行加工。
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