[实用新型]一种穿通型中低压平面TVS芯片有效
| 申请号： | 201920465189.X | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN209526088U | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 朱明;张超;王成森 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南通市苏通科技产*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿通 扩散区 隔离区 中低压 硅片 光刻 耐压 芯片 二氧化硅钝化层 砂轮 背面氧化层 本实用新型 表面金属化 扩散区表面 环绕设置 芯片测试 阳极电极 阴极电极 正反两面 正面光刻 焊锡膏 交接处 磷扩散 硼扩散 短路 侧壁 反刻 划片 良率 去除 封装 制备 合金 扩散 | ||
【权利要求书】：
1.一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：包括设置在P-型硅片（1）正反两面的N+扩散区（3）和P+扩散区（4），所述P-型硅片（1）、N+扩散区（3）和P+扩散区（4）周围环绕设置N-穿通隔离区（2），所述N-穿通隔离区（2）内侧和P+扩散区（4）交接处设置二氧化硅钝化层（5），所述P+扩散区（4）外表面设置阳极电极（6），所述N+扩散区（3）表面设置阴极电极（7）。
2.根据权利要求1所述的一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：所述N-穿通隔离区（2）宽度为160-280um。
3.根据权利要求1所述的一种穿通型中低压平面TVS芯片，其特征在于：所述二氧化硅钝化层（5）厚度在15000-30000A。
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