[实用新型]半导体处理腔室多阶段混合设备

权利要求书

1.一种半导体处理系统，其特征在于，所述半导体处理系统包括：

处理腔室；

远程等离子体单元，所述远程等离子体单元与所述处理腔室耦接；以及

混合歧管，所述混合歧管耦接在所述远程等离子体单元与所述处理腔室之间，其中所述混合歧管由第一端部和与所述第一端部相对的第二端部表征，其中所述混合歧管在所述第二端部处与所述处理腔室耦接，其中所述混合歧管限定通过所述混合歧管的中央通道，其中所述混合歧管沿所述混合歧管的外部限定端口，其中所述端口与限定在所述混合歧管的所述第一端部内的第一沟槽流体耦接，其中所述第一沟槽由在第一内侧壁处的内半径以及外半径表征，并且其中所述第一沟槽提供通过所述第一内侧壁到所述中央通道的流体通路。

2.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述混合歧管还包括限定在所述混合歧管的所述第一端部内的第二沟槽，其中所述第二沟槽被定位在所述第一沟槽的径向外侧，并且其中所述端口与所述第二沟槽流体耦接。

3.根据权利要求2所述的半导体处理系统，其中所述第二沟槽由在第二内侧壁处的内半径表征，并且其中所述第二内侧壁还限定所述第一沟槽的外半径。

4.根据权利要求3所述的半导体处理系统，其中所述第二内侧壁限定多个孔，所述多个孔被限定为通过所述第二内侧壁并提供到所述第一沟槽的流体通路。

5.根据权利要求4所述的半导体处理系统，其中所述第一内侧壁限定多个孔，所述多个孔被限定为通过所述第一内侧壁并提供到所述中央通道的流体通路。

6.根据权利要求5所述的半导体处理系统，其中被限定为通过所述第二内侧壁的所述多个孔中的每个孔从被限定为通过所述第一内侧壁的所述多个孔中的每个孔径向地偏离。

7.根据权利要求1所述的半导体处理系统，所述半导体处理系统还包括耦接在所述混合歧管与所述远程等离子体单元之间的隔离器。

8.根据权利要求7所述的半导体处理系统，其中所述隔离器包含陶瓷。

9.根据权利要求1所述的半导体处理系统，所述半导体处理系统还包括耦接在所述混合歧管与所述远程等离子体单元之间的适配器。

10.根据权利要求9所述的半导体处理系统，其中所述适配器由第一端部和与所述第一端部相对的第二端部表征，其中所述适配器限定部分地延伸通过所述适配器的中央通道，其中所述适配器限定通过所述适配器的外部的端口，其中所述端口与限定在所述适配器内的混合通道流体耦接，并且其中所述混合通道与所述中央通道流体耦接。

11.根据权利要求10所述的半导体处理系统，其中所述适配器包含在所述适配器的内表面上的氧化物。

12.根据权利要求9所述的半导体处理系统，所述半导体处理系统还包括定位在所述适配器与所述混合歧管之间的间隔件。