[实用新型]新型发射机有效

专利信息
申请号: 201920473121.6 申请日: 2019-04-09
公开(公告)号: CN209593410U 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 黄东章 申请(专利权)人: 广西俊锦科技有限公司
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 张学府
地址: 530000 广西壮族自治区南宁市*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 输入端连接 输出端 电源电路 信号转换器 二极管 编码器 电容 电阻 光源 发射机 本实用新型 输出接口 输入接口 继电器 电感 电路结构 直流电源 三极管 电路 维护
【权利要求书】:

1.一种新型发射机,其特征在于,包括输入接口、编码器、信号转换器、电源电路、光源和输出接口,所述输入接口的输出端与所述编码器的输入端连接,所述编码器的输出端与所述信号转换器的输入端连接,所述信号转换器的输出端与所述电源电路的输入端连接,所述电源电路的输出端与所述光源的输入端连接,所述光源的输出端与所述输出接口的输入端连接;

所述电源电路包括直流电源、第一电阻、第一MOS管、第一电感、第一二极管、第一电容、第三电容、第二电阻、第一三极管、继电器、第二二极管、第三二极管、第四电阻、第二MOS管和第二电容,所述直流电源分别与所述第一电阻的一端和第一MOS管的源极连接,所述第一MOS管的栅极分别与所述第一电阻的另一端和第三电容的一端连接,所述第三电容的另一端与所述第一三极管的集电极连接,所述第一三极管的基极与第二电阻的一端连接,所述第一三极管的基极接入脉宽调制信号,所述第二电阻的另一端和第一三极管的发射极均接地,所述第一MOS管的漏极分别与所述第一二极管的阴极和第一电感的一端连接,所述第一电感的另一端分别与所述第一电容的正极和第三电阻的一端连接,所述第一二极管的阳极和第一电容的负极均接地,所述第三电阻的另一端分别与所述继电器的线圈的一端、第二二极管的阴极和第二电容的正极连接,所述继电器的线圈的另一端与所述第三二极管的阳极连接,所述第三二极管的阴极分别与所述第二二极管的阳极、第二MOS管的漏极连接,所述第二MOS管的栅极与所述第四电阻的一端连接,所述第二MOS管的栅极接入驱动信号,所述第四电阻的另一端、第二MOS管的源极和第二电容的负极均接地,所述第三电容的电容值为360pF,所述第三二极管的型号为S-153T。

2.根据权利要求1所述的新型发射机,其特征在于,所述电源电路还包括第五电阻,所述第五电阻的一端与所述第一三极管的发射极连接,所述第五电阻的另一端接地,所述第五电阻的阻值为52kΩ。

3.根据权利要求2所述的新型发射机,其特征在于,所述电源电路还包括第六电阻,所述第六电阻的一端与所述第二MOS管的源极连接,所述第六电阻的另一端接地,所述第六电阻的阻值为36kΩ。

4.根据权利要求3所述的新型发射机,其特征在于,所述电源电路还包括第四电容,所述第一三极管的基极通过所述第四电容接入所述脉宽调制信号,所述第四电容的电容值为430pF。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的新型发射机,其特征在于,所述第一MOS管为P沟道MOS管,所述第一三极管为NPN型三极管,所述第二MOS管为N沟道MOS管。

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