[实用新型]一种低介电屏蔽结构有效
| 申请号： | 201920478468.X | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN209947470U | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张强;贺才利 | 申请（专利权）人： | 广东莱尔新材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B7/17 | 分类号： | H01B7/17;H01B7/02;H01B7/04;H01B7/08;H01B7/18;H01B11/00 |
| 代理公司： | 44379 佛山市禾才知识产权代理有限公司 | 代理人： | 资凯亮;刘羽波 |
| 地址： | 528000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 屏蔽层 胶层 底面 高速信号传输 柔性扁平线缆 信号传输过程 本实用新型 改性共混物 绝缘层顶面 长度一致 顶面贴合 介电常数 损耗因子 信号稳定 电屏蔽 低介 贴合 保证 | ||
1.一种低介电屏蔽结构，其特征在于：包括屏蔽层、绝缘层和胶层；
所述屏蔽层的底面与所述绝缘层顶面贴合，所述绝缘层的底面与所述胶层的顶面贴合；
所述绝缘层为PP或PE材质；
所述绝缘层、屏蔽层以及胶层的长度一致；
所述屏蔽层包括PET层与金属箔；
所述金属箔的底部与所述绝缘层的顶部连接，所述PET层的底部与所述金属箔的顶部连接；
绝缘层与所述金属箔之间设有连接层，所述连接层为双面胶、留胶或热熔胶。
2.根据权利要求1所述的一种低介电屏蔽结构，其特征在于：所述胶层为热熔胶层。
3.根据权利要求1所述的一种低介电屏蔽结构，其特征在于：所述绝缘层厚度为100-120um。
4.根据权利要求2所述的一种低介电屏蔽结构，其特征在于：所述热熔胶层厚度为5-10um。
5.根据权利要求1所述的一种低介电屏蔽结构，其特征在于：所述PET层厚度为19-25um。
6.根据权利要求1所述的一种低介电屏蔽结构，其特征在于：所述金属箔厚度为9-20um。
7.根据权利要求1所述的一种低介电屏蔽结构，其特征在于：所述金属箔为铝箔。
8.根据权利要求1所述的一种低介电屏蔽结构，其特征在于：还包括弹性胶层，所述弹性胶层的底面与所述屏蔽层的顶面贴合；
所述弹性胶层的上表面布设有张紧纹路，所述张紧纹路为直线凹陷纹路，所述张紧纹路均相对平行设置；
还包括塑形层，所述塑形层层叠设置于所述弹性胶层和屏蔽层之间，所述塑形层为薄铜片。
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