[实用新型]具有过压保护的低压直流电源

权利要求书

1.一种具有过压保护的低压直流电源，其特征在于：包括整流电路、过压保护单元、第一稳压电路、第二稳压电路以及锂电池；

所述整流电路的输入端与市电连接，整流电路的输出端与过压保护单元的输入端连接，所述过压保护单元的输出端与第一稳压电路的输入端连接，第一稳压电路的输出端与第二稳压电路连接，所述第二稳压电路向负载供电；

所述过压保护单元包括开关输出模块、比较控制模块以及过压保护模块；

所述过压保护模块包括保险丝F1、可控硅SCR1、可控硅SCR2、电阻R2、电阻R3、压敏电阻VR、电阻R4、电阻R5、稳压管DW1以及继电器；

所述保险丝F1的一端作为过压保护模块的输入端与整流电路的输出端连接，保险丝F1的另一端与开关输出模块的输入端连接，开关输出模块的输出端与第一稳压电路的输入端连接，所述可控硅SCR1的正极连接于保险丝F1与开关输出模块之间的公共连接点，所述可控硅SCR1的负极接地，压敏电阻VR的一端连接于可控硅SCR1的正极，压敏电阻VR的另一端通过电阻R3接地，压敏电阻VR与电阻R3之间的公共连接点通过电阻R2与可控硅SCR1的控制极连接，压敏电阻VR与电阻R3之间的公共连接点通过电容C1接地，电阻R4的一端与可控硅SCR1的正极连接，电阻R4的另一端通过电阻R5接地，电阻R4和电阻R5之间的公共连接点与稳压管DW1的负极连接，稳压管DW1的正极与可控硅SCR2的控制极连接，可控硅SCR2的负极作为过压保护单元的控制输出端与开关输出模块的控制输入端连接，可控硅SCR2的正极通过继电器的常开开关J-K与可控硅SCR1的正极连接；

所述比较控制模块的输入端与电阻R4和电阻R5之间的公共连接点连接，所述比较控制模块用于控制继电器的线圈J1与电源之间的通断；

所述第一稳压电路包括稳压管DW2、稳压管DW3、电阻R13、电阻R14、电阻R15、三极管Q4、三极管Q5以及三极管Q6；

所述稳压管DW2的负极连接于第一稳压电路的输入端，稳压管DW2的正极通过电阻R15接地，稳压管DW2的正极与三极管Q4的基极连接，三极管Q4的发射极通过电阻R13与第一稳压电路的输入端连接，三极管Q4的集电极与三极管Q5的基极连接，三极管Q5的集电极通过电阻R14与三极管Q6的集电极连接，三极管Q5的发射极与三极管Q6的基极连接，三极管Q6的基极与稳压管DW3的负极连接，稳压管DW3的正极接地，三极管Q6的集电极作为第一稳压电路的输入端与开关输出模块的输出端连接，三极管Q6的发射极作为第一稳压电路的输出端与第二稳压电路的输入端连接；

所述锂电池的供电端向比较控制模块以及继电器供电。

2.根据权利要求1所述具有过压保护的低压直流电源，其特征在于：所述开关输出模块包括电阻R7、电阻R8、电容C2以及PMOS管Q2；

所述PMOS管Q2的源极作为开关输出单元的输入端与保险丝F1连接，PMOS管Q2的漏极作为开关输出单元的输出端与第一稳压电路的输入端连接，所述PMOS管Q2的源极通过电阻R7与PMOS管Q2的栅极连接，PMOS管Q2的栅极通过电阻R8接地，PMOS管Q2的源极通过电容C2接地。

3.根据权利要求2所述具有过压保护的低压直流电源，其特征在于：所述比较控制模块包括电阻R6、电阻R1、三极管Q1、二极管D1、单片机、比较器U1、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、三极管Q3以及光耦G1；

所述电阻R6的一端与电阻R4和电阻R5之间的公共连接点连接，电阻R6的另一端与比较器U1的反相端连接，电阻R9的一端与锂电池的输出端VCC连接，电阻R9的另一端通过电阻R10接地，电阻R10和电阻R9之间的公共连接点与比较器U1的同相端连接，比较器U1的输出端与光耦G1的发光二极管的正极连接，光耦G1的发光二极管的负极接地，光耦G1的光敏三极管的集电极通过电阻R12接锂电池的输出端VCC，光耦G1的光敏三极管的发射极通过继电器的线圈J1接地，比较器U1的输出端通过电阻R11与三极管Q3的基极连接，三极管Q3的发射极接地，三极管Q3的集电极与单片机的控制输入端连接，单片机的控制输出端与三极管Q1的基极连接，三极管Q1的集电极与锂电池的输出端VCC连接，三极管Q1的发射极通过电阻R1接地，三极管Q1的发射极与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极与可控硅SCR1的控制极连接。

4.根据权利要求1所述具有过压保护的低压直流电源，其特征在于：所述比较控制模块还包括发光二极管LED，发光二极管LED的正极与光耦G1的光敏三极管的发射极连接，发光二极管LED的负极接地。