[实用新型]太阳能电池产线用电注入压板有效
申请号: | 201920484355.0 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN209461480U | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 王少华;吴家宏;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 朱丽莎 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探针 内凹孔 压板 太阳能电池 弹簧 底板 本实用新型 弹簧连接 压板组件 大径段 硅片 产线 底板表面 电性连接 对称设计 间隔均布 接触不良 拉弧打火 生产效率 完全接触 端部轴 抗衰减 小径段 上端 导电 底面 两组 连通 配合 生产 | ||
本实用新型提供了一种太阳能电池产线用电注入压板,包括上下两组对称设计的压板组件,每组压板组件包括底板,底板表面固定有压板,压板上间隔均布有内凹孔,内凹孔内设有弹簧,弹簧一端与内凹孔底面固定、另一端固定有铜探针,弹簧将底板与铜探针导电连通;铜探针与弹簧连接的端部轴向截面为T型结构,T型结构包括连接的小径段和大径段,弹簧连接在大径段的外表面上,内凹孔上端则与铜探针的T型结构配合。本实用新型结构设计合理,在太阳能电池抗衰减工艺中,可使硅片与铜探针完全接触,电性连接良好,防止发生接触不良,避免发生拉弧打火情况,有效提高硅片生产质量和生产效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片生产技术领域,尤其涉及一种太阳能电池产线用电注入压板。
背景技术
在太阳能电池片生产线中,在电池抗衰减工艺中,通常使用电注入压板进行工艺。目前,抗衰减工艺中使用的电注入压板,基本才用平面铝板材质,硅片层叠后被压接在平面铝板之间。但是在实际生产中,硅片具有一定的弧度,硅片层叠后也具有一定的弧度,在使用电注入压板时,普通的平面铝板材质并不能完全接触,产生接触不良,从而导致拉弧打火。因此,平面铝板表面易发生氧化,而平面铝板表面发生了氧化,则与硅片之间更容易发生接触不良,造成恶性循环。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服现有技术之不足,本实用新型提供一种在太阳能电池抗衰减工艺中,可使硅片与底板电性接触良好,防止发生接触不良,避免发生拉弧打火情况,有效提高硅片生产质量和生产效率的太阳能电池产线用电注入压板。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种太阳能电池产线用电注入压板,用于太阳能电池片抗衰减工艺中,用于夹持层叠的硅片,包括上下两组对称设计的压板组件,每组压板组件包括底板,所述的底板表面固定有压板,所述的压板上间隔均布有内凹孔,所述的内凹孔内设有弹簧,所述的弹簧一端与内凹孔底面固定、另一端固定有铜探针,所述弹簧将底板与铜探针导电连通;所述的铜探针与弹簧连接的端部轴向截面为T型结构,所述的T型结构包括连接的小径段和大径段,弹簧连接在大径段的外表面上,所述的内凹孔上端则与铜探针的T型结构配合,所述铜探针的大径段限位与内凹孔内且小径段伸出内凹孔外,所述的硅片层叠后被压接在上下两组压板组件之间,铜探针小径段底部与硅片压接。
进一步的,所述的底板为铜板,所述的压板为铝合金板。
为了便于生产铜探针,所述的小径段与大径段为一体成型结构。
优选的,所述的底板与压板通过固定螺丝连接固定,且所述固定螺丝的螺纹连接位置避开压板的内凹孔位置。
在上述方案中,层叠的具有一定弧度的硅片,在放置到上下两组压板组件上后,单个铜探针可充分与硅片接触,避免发生弯曲的硅片可能产生的接触不良等情况。
本实用新型的有益效果是,本实用新型提供的太阳能电池产线用电注入压板,结构设计合理,在太阳能电池抗衰减工艺中,可使硅片与铜探针完全接触,电性连接良好,防止发生接触不良,避免发生拉弧打火情况,有效提高硅片生产质量和生产效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型最优实施例的结构示意图。
图2是本实用新型最优实施例压接硅片后的结构示意图。
图3是铜探头与内凹孔连接处的放大示意图。
图中1、铜探针 2、弹簧 3、压板 4、底板 5、固定螺丝 6、小径段 7、大径段 8、内凹孔。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的