[实用新型]一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构

权利要求书

1.一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构，包括筒状的保温筒体(1)，所述保温筒体(1)由若干保温筒叠加形成，安装在炉筒(5)底部设置的石墨料盘(2)上，其特征在于：所述保温筒体(1)内叠加若干导气装置(3)，导气装置(3)叠加后高度大于保温筒体(1)高度；所述保温筒体(1)顶端设有圆环形限气板(4)，所述圆环形限气板(4)与保温筒体(1)的顶端连接，其外边沿与炉筒(5)内壁连接；所述炉筒(5)顶部连接石墨导气管(6)，所述石墨导气管(6)底部伸入顶部的导气装置(3)内，且所述石墨导气管(6)上设有若干气孔。

2.根据权利要求1所述的一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构，其特征在于：所述导气装置(3)包括导流筒(301)和坩埚(302)，所述导流筒(301)位于所述坩埚(302)内部，且均开口向上，所述导流筒(301)和坩埚(302)底部分别设有第一分气工装(303)和第二分气工装(304)，所述第一分气工装(303)与坩埚(302)底部连接，并与第二分气工装(304)连通；位于顶部的导气装置(3)下方的导气装置(3)上设有导气板(7)，所述导气板(7)安装在导流筒(301)顶端的开口处，所述导气装置(3)从上到下依次通过第二分气工装(304)连接在导气板(7)上叠加，位于底部的导气装置(3)通过第二分气工装(304)连接在石墨料盘(2)上；所述石墨导气管(6)底部伸入顶部的导气装置(3)的导流筒(301)内。

3.根据权利要求2所述的一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构，其特征在于：所述位于顶部的导气装置(3)的坩埚(302)顶端面高于所述保温筒体(1)的顶端面，所述导流筒(301)的顶端面高于坩埚(302)的顶端面。

4.根据权利要求2所述的一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构，其特征在于：所述第一分气工装(303)和第二分气工装(304)上均设有8个气孔，且均匀分布；所述第一分气工装(303)上的气孔孔径为20-40mm，所述第二分气工装(304)上的气孔孔径为60-90mm。

5.根据权利要求1所述的一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构，其特征在于：所述保温筒上下叠层间的对接缝隙填抹石墨泥。

6.根据权利要求2所述的一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构，其特征在于：所述导流筒(301)外壁与坩埚(302)内壁之间的间距为20-50mm。

7.根据权利要求2所述的一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构，其特征在于：所述坩埚(302)外壁与保温筒体(1)内壁之间的间距为20-200mm。