[实用新型]一种CTM存储器有效
| 申请号： | 201920491559.7 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN210866243U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ctm 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种CTM存储器，其特征在于，包括由下至上层叠设置的下电极层，基底，存储层和上电极层；所述存储层为有机材料、无机混合材料的薄膜层，所述有机材料为硅氧烷，无机材料为氧化锆和硅酸锆颗粒；
所述下电极层(400)为金属铝薄膜，厚度为500-600nm，
所述基底为硅片，厚度为280-320μm；
所述存储层厚度为500-600nm，纳米颗粒直径为20-25nm；
所述上电极层包括若干阵列在存储层上的柱形上电极，厚度为800-900nm，面积为1.4-1.8×10-9cm2。
2.根据权利要求1所述的CTM存储器，其特征在于，所述氧化锆和硅酸锆为纳米颗粒，纳米颗粒直径为20-25nm。
3.根据权利要求1所述的CTM存储器，其特征在于，所述上电极为柱形金属铝薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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