[实用新型]一种高效的糖浆饱充装置有效
申请号: | 201920508278.8 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN209872982U | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 林日香;林伟童 | 申请(专利权)人: | 广东金岭糖业集团有限公司 |
主分类号: | C13B20/06 | 分类号: | C13B20/06 |
代理公司: | 44283 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 薛家驹 |
地址: | 524338*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 糖浆 二氧化碳 输入管 上进口 下进口 本实用新型 气液混合 回流管 侧边 出气口 排放口 石灰乳 输出管 内壁 泥渣 连通 申请 | ||
本实用新型公开了一种高效的糖浆饱充装置,包括在所述饱充釜的顶部对应设有出气口,二氧化碳上进口位于二氧化碳下进口的上方,饱充釜的侧边还与糖浆输入管对应连通,在糖浆输入管上还对应设有石灰乳输入管,所述糖浆输入管位于二氧化碳上进口与二氧化碳下进口之间,在所述饱充釜的内壁还对应设有气液混合层,所述气液混合层位于糖浆输入管与二氧化碳下进口之间,在所述饱充釜的底部对应设有泥渣排放口,在所述饱充釜的侧边还对应糖浆输出管。本实用新型一种高效的糖浆饱充装置将糖浆与二氧化碳接触后通过第一回流管和第二回流管回流至饱充釜的上部,由二氧化碳上进口的二氧化碳进行二次饱充,提高本申请的饱充效果。
技术领域
本实用新型涉及现代制糖专用设备领域,尤其是一种高效的糖浆饱充装置。
背景技术
甘蔗是禾本科植物,原产于印度,现广泛种植于热带及亚热带地区。从北纬34°至南纬31°的范围,遍布80多个国家和地区。全世界每年甘蔗种植面积约1583万公顷。甘蔗生长期为10~16个月,长的达18~24个月。每公顷产蔗量随生产期延长而增高。美国的夏威夷单产最高,每公顷产蔗量为 207吨。中国种植甘蔗的省(区)有14个,以广东、广西、台湾、云南、福建等为主,其次有海南、四川、江西、湖南、浙江、贵州、湖北、河南和陕西等省。全国甘蔗种植面积约90万公顷(含台湾省7.5万公顷),每公顷平均产蔗量51吨,其中以台湾省和福建省最高,分别为75吨和72吨。
甘蔗的化学成分随品种、土壤、气候、成熟程度等的不同而变化甚大。成熟的甘蔗水分为70~77%,蔗糖分12~18%,纤维分9.5~12.0%,无机物0.5~1.4%,非糖分0.7~1.0%。甘蔗作为制糖原料,既要有足够的蔗源以满足糖厂生产,同时要求蔗茎的蔗糖分和纤维分较高,非糖分要低。甘蔗的蔗糖分随生长期而逐渐提高,成熟时达到最高点,然后逐渐下降。甘蔗一经收获,便开始失水减轻重量,蔗糖逐渐转化为还原糖,从而使纯度下降。在干燥和高温条件下更易转化。因此,甘蔗不能贮存,应尽快送糖厂加工,以收获后不超过2天即加工为宜。
甘蔗制糖方法是以清净过程中使用的主要清净剂来命名,各产糖国家用甘蔗生产白砂糖、粗糖的通用清净方法主要有亚硫酸法、石灰法和碳酸法。碳酸法工艺原理主要是利用一碳饱充过程反应生成的大量碳酸钙粒子对胶体、色素及其他非糖分的良好吸附作用,达到降低色值和提高清汁纯度的目的但由于蔗汁含还原糖较多,为了避免在高温,强碱条件下分解,一碳加石灰量为蔗汁的1.5~2.0%,一碳适宜的pH为10.5~11,相当于0.03~0.05克CaO/100ml的饱充碱度。随后的二碳饱充控制pH值为8.0~8.4,尽可能完全地沉淀溶解在一碳清汁中的石灰和钙盐,并吸附部分杂质和色素,进一步提高清净汁的质量。碳酸法糖厂均备有石灰窑,石灰石在窑中煅烧产生的CO和CaO供该法生产工艺所需。
实用新型内容
针对现有的技术中的缺陷,提供一种高效的糖浆饱充装置。
本实用新型通过下述方案实现:一种高效的糖浆饱充装置,包括中空罐体结构的饱充釜,在所述饱充釜的顶部对应设有出气口,在所述饱充釜的侧边设有二氧化碳上进口和二氧化碳下进口,所述二氧化碳上进口位于二氧化碳下进口的上方,所述饱充釜的侧边还与糖浆输入管对应连通,在所述糖浆输入管上还对应设有石灰乳输入管,所述糖浆输入管位于二氧化碳上进口与二氧化碳下进口之间,在所述饱充釜的内壁还对应设有气液混合层,所述气液混合层位于糖浆输入管与二氧化碳下进口之间,在所述饱充釜的底部对应设有泥渣排放口,在所述饱充釜的侧边还对应糖浆输出管;
在所述饱充釜的侧边还对设有第一回流管,所述第一回流管与设置在饱充釜内的第一回流分散层对应连通,在所述第一回流管上对应设有第一回流泵;在所述饱充釜的侧边还对设有第二回流管,所述第二回流管与设置在饱充釜内的第二回流分散层对应连通,在所述第二回流管上对应设有第二回流泵,所述第一回流分散层位于第二回流分散层的上方,所述第二回流分散层位于二氧化碳上进口的上方,在所述饱充釜内还对应设有除泡层,所述除泡层位于第一回流分散层的上方。
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