[实用新型]垂直腔面发射激光器封装结构有效

专利信息
申请号: 201920512144.3 申请日: 2019-04-15
公开(公告)号: CN209561862U 公开(公告)日: 2019-10-29
发明(设计)人: 刘勇 申请(专利权)人: 深圳市迈科光电有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/022;H01S5/06
代理公司: 深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙) 44320 代理人: 黄莉
地址: 518000 广东省深圳市龙华新区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 氮化铝陶瓷基板 基板 垂直腔面发射激光器 本实用新型 封装结构 封装支架 金属层 扩散片 光辐射能量 出射光线 导热性能 工作效能 激光光束 扩散处理 纳米银胶 外界因素 线路导通 有效扩散 绑定线 出光面 射出 罩设 正对 封装 粘贴 成型 激光 组装 承载 发射
【权利要求书】:

1.一种垂直腔面发射激光器封装结构,包括基板、贴于基板一侧表面的VCSEL芯片以及罩设于所述VCSEL芯片外侧的封装支架,其特征在于,所述基板为氮化铝陶瓷基板,所述氮化铝陶瓷基板表面还成型有金属层,在所述金属层形成有线路,所述VCSEL芯片通过纳米银胶层粘贴于所述氮化铝陶瓷基板的表面并通过绑定线与所述线路导通连接,所述封装支架上还组装有正对所述VCSEL芯片的出光面以对所述VCSEL芯片发射出的激光光束进行扩散处理的扩散片。

2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器封装结构,其特征在于,所述金属层是通过面沉积工艺成型于所述氮化铝陶瓷基板的表面,所述线路是通过PCB制作工艺成型于所述金属层。

3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器封装结构,其特征在于,所述封装支架为采用环氧塑封工艺包埋所述VCSEL芯片而成。

4.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器封装结构,其特征在于,所述封装支架内部形成有一端细一端粗的阶梯孔,所述VCSEL芯片容纳于所述阶梯孔的细端内且以发光面朝向所述阶梯孔的粗端,所述扩散片嵌设于所述阶梯孔的粗端内。

5.如权利要求1至4中任一项所述的垂直腔面发射激光器封装结构,其特征在于,所述氮化铝陶瓷基板上在所述VCSEL芯片的两侧均成型有所述金属层,每一金属层分别形成有所述线路。

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