[实用新型]一种存储器有效
| 申请号： | 201920514036.X | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN209496871U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘钊;熊涛;许毅胜;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源区 浅槽隔离区 凹槽结构 隔离层 上表面 存储器 衬底基板 浮栅 本实用新型 介质层 断开连接 间隔设置 内壁表面 控制栅 良品率 延伸 功耗 内壁 填充 贯穿 | ||
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区，所述有源区和所述浅槽隔离区间隔设置；
填充所述浅槽隔离区的隔离层，所述隔离层延伸至所述有源区中靠近所述浅槽隔离区一侧的部分上表面；
位于所述有源区内的凹槽结构，所述凹槽结构部分贯穿所述有源区对应的所述衬底基板；
位于所述凹槽结构内壁表面并沿所述凹槽结构内壁延伸至所述隔离层部分上表面的浮栅，相邻的所述有源区对应的所述浮栅之间断开连接；
位于所述浮栅上表面和所述隔离层上表面的介质层；
位于所述介质层上的控制栅。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述凹槽结构的开口深度为D1，其中，50nm≤D1≤100nm。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿所述有源区指向所述浅槽隔离区的方向，所述凹槽结构的开口宽度为D2，其中，30nm≤D2≤80nm。
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿垂直所述衬底基板的方向，所述浮栅的厚度为D3，其中，5nm≤D3≤20nm。
5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，沿所述有源区指向所述浅槽隔离区的方向，相邻两个所述有源区所对应的浮栅之间的距离为L1，其中，L1≥10nm。
6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述凹槽结构与所述浮栅之间设置有掺杂层和遂穿氧化层。
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述隔离层的材料包括氧化硅材料；
所述介质层包括氧化硅、氮化硅和氧化硅层的层叠结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
