[实用新型]一种高性能RF MEMS电容式开关有效
| 申请号： | 201920515959.7 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN209461307U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 肖倩;王竞轩;陈涛;刘泽文 | 申请（专利权）人： | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01H1/00 | 分类号： | H01H1/00 |
| 代理公司： | 苏州唯亚智冠知识产权代理有限公司 32289 | 代理人： | 陈晓瑜 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微波传输线 地结构 开关驱动 电极 金属膜 开口 衬底 电容式开关 插入损耗 电极容纳 本实用新型 对地电容 共面波导 金属引线 两侧分布 驱动电极 信号传输 整体构造 介质层 上极板 电容 减小 架设 悬挂 制造 保证 | ||
1.一种高性能RF MEMS电容式开关，包括有衬底，其特征在于：所述衬底上分布有微波传输线，所述微波传输线上依次固定有介质层和电容上极板，所述微波传输线两侧分布有地结构，所述地结构开设有电极容纳槽，所述电极容纳槽内设置有开关驱动电极，且开关驱动电极底部固定于衬底上，所述开关驱动电极上方镜像悬挂有金属膜桥，所述金属膜桥同时连接地结构，所述地结构上设有开口，所述开口内设有引线，所述开口上连接有金属引线盖。
2.根据权利要求1所述的一种高性能RF MEMS电容式开关，其特征在于：所述衬底为高阻硅衬底；或是为，玻璃衬底；或是为，陶瓷衬底；或是为，砷化镓衬底。
3.根据权利要求1所述的一种高性能RF MEMS电容式开关，其特征在于：所述金属膜桥为T字形构造，所述T字形构造的横向端点与地结构相连，所述T字形构造的底部端点与电容上极板形成接触状态或是分离状态。
4.根据权利要求1所述的一种高性能RF MEMS电容式开关，其特征在于：所述金属膜桥为两镜像分布构成的H字形构造，所述H字形构造的纵向端点与地结构相连，所述H字形构造的中部端点与电容上极板形成接触状态或是分离状态。
5.根据权利要求1所述的一种高性能RF MEMS电容式开关，其特征在于：所述电容上极板与介质层和微波传输线构成对地耦合电容，所述金属膜桥悬挂在开关驱动电极上方，对称分布于对地耦合电容的两侧，所述金属膜桥填补地结构的开口。
6.根据权利要求1所述的一种高性能RF MEMS电容式开关，其特征在于：所述微波传输线为共面波导，或是为微带线。
7.根据权利要求1所述的一种高性能RF MEMS电容式开关，其特征在于：所述金属膜桥与地结构之间连接有金属锚点。
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