[实用新型]一种双面ITO导电膜及触摸屏有效
| 申请号： | 201920522087.7 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN209591561U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 何秀凯;张佳衲 | 申请（专利权）人： | 信利光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;G06F3/041 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 许青华;廖苑滨 |
| 地址： | 516600 广东省汕*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 玻璃基板 抗氧化物 丝网屏蔽 加硬层 增透层 多层复合膜 透明导电膜 低反射率 技术效果 膜层结构 优化组合 触摸屏 低电阻 耐候性 上表面 透过率 下表面 | ||
【权利要求书】：
1.一种双面ITO导电膜，包括玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板的上表面依次向上镀有第一加硬层、第一抗氧化物层、第一ITO层、第一丝网屏蔽层和第一增透层；所述玻璃基板的下表面依次向下镀有第二加硬层、第二抗氧化物层、第二ITO层、第二丝网屏蔽层和第二增透层。
2.如权利要求1所述的双面ITO导电膜，其特征在于，所述第一加硬层和第二加硬层为Al2O3薄膜层或ZrO2薄膜层，其厚度为2-30nm。
3.如权利要求1所述的双面ITO导电膜，其特征在于，所述第一抗氧化物层和第二抗氧化物层均为SnO2薄膜层，厚度均为1-5nm。
4.如权利要求1所述的双面ITO导电膜，其特征在于，所述第一ITO层和第二ITO层的厚度均为30-50nm。
5.如权利要求1所述的双面ITO导电膜，其特征在于，所述第一丝网屏蔽层和第二丝网屏蔽层均为不锈钢金属丝网屏蔽层。
6.如权利要求1所述的双面ITO导电膜，其特征在于，所述第一增透层和第二增透层均为氟化镁薄膜层。
7.如权利要求1所述的双面ITO导电膜，其特征在于，所述第一增透层和第二增透层的厚度均为40-80nm，可见光折射率均为1.35-1.5。
8.一种触摸屏，其特征在于，其包括权利要求1-7任一项所述的双面ITO导电膜。
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