[实用新型]一种量子点电致发光器件有效

专利信息
申请号: 201920523781.0 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN210272429U 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 许伟;刘南柳;彭俊彪;王琦;张国义 申请(专利权)人: 华南理工大学;北京大学东莞光电研究院
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;江裕强
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 电致发光 器件
【权利要求书】:

1.一种量子点电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的透明衬底,阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极,所述阴极为透明的氮化镓材料,所述氮化镓材料包括非掺杂或掺杂的N型氮化镓单晶层或多层,所掺杂的原子包括Si,Ge。

2.根据权利要求1项所述的量子点电致发光器件,其特征在于,还包括在阴极层和量子点发光层之间依次层叠的电子注入层和电子传输层,其中所述氮化镓材料既作为阴极又为电子注入层。

3.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述透明衬底为蓝宝石衬底、氮化镓自支撑衬底或者两者的结合。

4.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述量子点发光层的厚度为(30 ± 10) nm;所述量子点发光层包括红光、绿光、蓝光量子点。

5.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的厚度为(20 ±10) nm;

所述空穴注入层的厚度为5-40 nm;

所述空穴传输层的材料为芳香族化合物、咔唑类化合物或有机金属配合物;

所述空穴注入层的材料为以碳或硅做主链的共轭或非共轭高电导体系构成的薄膜或无机氧化物。

6.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件,其特征在于,所述金属阳极的厚度为200 ± 100 nm;所述金属阳极的材料包括Al、Au或Ag中的任意一种或至少两种以上金属的合金。

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