[实用新型]一种变压电路及电源组件有效
申请号: | 201920527156.3 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN209593294U | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 方仕立;沙瑞 | 申请(专利权)人: | 重庆建安仪器有限责任公司 |
主分类号: | H02M3/28 | 分类号: | H02M3/28;H02M1/32;H02M7/10 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 崔振 |
地址: | 400000 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变压电路 变压器 电源组件 变压器输出电压 倍压整流电路 本实用新型 变压器电路 功率MOSFET 升压 程度减小 稳压芯片 线圈匝数 占用空间 振荡电路 微功率 匝数比 布板 减小 匝数 电路 放大 芯片 占用 | ||
本实用新型提供了一种变压电路及电源组件,涉及变压器电路技术领域,所述变压电路通过使用微功率升压稳压芯片将现有技术方案中振荡电路和功率MOSFET集中于一块小体积芯片,可很大程度减小电路布板占用空间,使用匝数比较小的Flyback变压器,可以降低变压器的体积,利用倍压整流电路将变压器输出电压进行放大,可以降低变压器的匝数比,减少线圈匝数,减小变压器所占的体积,从而减少变压电路整体占用的空间。
技术领域
本实用新型涉及变压器电路技术领域,具体而言,涉及一种变压电路及电源组件。
背景技术
现有的低压直流电源输入电路,由振荡芯片电路驱动外置的功率MOSFET(作为开关管)推挽工作,功率MOSFET开关管、高变压比的变压器初级线圈和直流电压源连接在一起,功率MOSFET的开关动作使变压器初级线圈通过交变电流,产生变化的磁场,变压器另一侧的次级线圈就感应出电场及电流,再由整流电路获得直流高压输出,输出的高压直流再由采样反馈电路采样,获得采样分量控制振荡电路调整振荡信号,形成负反馈。
但是现有的低压直流电源输入电路的缺点比较明显,如体积、功耗大;振荡电路、功率MOSFET、高变压比的变压器体积较大,占用安装空间较大,振荡电路芯片自身功耗较大,工作电压范围窄,而高变压比的变压器之所以体积较大,是因为需满足变压比要求,两端线圈绕制匝数也多。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种变压电路及电源组件,以改善现有的变压电路功耗高、体积大等问题。
本实用新型采用的技术方案如下:
本实用新型提供了一种变压电路,所述变压电路包括电源输入端、稳压单元、变压单元、倍压整流单元及电源输出端,所述变压单元的初级线圈的一端与电源输入端电连接,所述初级线圈的另一端与稳压单元电连接,所述变压单元的次级线圈与倍压整流单元的输入端电连接,所述倍压整流单元的输出端与所述电源输出端电连接;所述电源输入端用于接入直流电源,将所述直流电源传输至所述初级线圈;所述稳压单元用于控制所述直流电源通断产生交变电流;所述变压单元用于对所述交变电流进行升压处理,将升压后的交变电流输出至所述倍压整流单元;所述倍压整流单元用于对升压后的交变电流进行整流及电压放大形成高压直流信号,将形成的高压直流信号传输至所述电源输出端进行输出。
进一步地,所述变压电路包括采样反馈单元,所述采样反馈单元与所述电源输出端电连接,所述采样反馈单元还与所述稳压单元电连接,所述采样反馈单元用于采样所述电源输出端的电信号,将采样的信号传输至所述稳压单元,所述稳压单元根据所述采样的信号调整所述直流电源的通断时间。
进一步地,所述变压单元的初级线圈与次级线圈匝数比不大于1:12。
进一步地,所述变压单元为Flyback变压器。
进一步地,所述倍压整流单元包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一电容C1、第二电容C2及第三电容C3,所述第一二极管D1的阳极与所述次级线圈的第一端电连接,所述第一二极管D1依次与所述第二二极管D2、所述第三二极管D3同向串联,所述第三二极管D3的阴极与所述电源输出端电连接,所述第一电容C1的第一端与所述次级线圈的第二端电连接,所述第一电容C1的第二端与所述第一二极管D1的阴极电连接,所述第二电容C2的第一端与所述第一二极管D1的阴极电连接,所述第二电容C2的第二端与所述第三二极管D3的阴极电连接,所述第三电容C3的第一端与所述第一二极管D1的阳极电连接,所述第三电容C3的第二端与所述第二二极管D2的阴极电连接。
进一步地,所述采样反馈单元包括至少一个第一分压电阻以及至少一个第二分压电阻,所述第一分压电阻及所述第二分压电阻依次串联于所述电源输出端与接地端之间,用以将采样的高压直流信号进行分压,所述稳压单元包括反馈端,所述反馈端连接于所述第一分压电阻与所述第二分压电阻之间,用以将分压后的采样信号传输至所述稳压单元。
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