[实用新型]一种倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201920527635.5 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN209658225U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明曲面 可变化 反射层 透明导电层 本实用新型 外延层 衬底 绝缘层 折射率大于空气 倒装LED芯片 出光效率 第二电极 第一电极 透光材料 凸形曲面 芯片 | ||
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层、设于透明导电层上的可变化透明曲面层、设于可变化透明曲面层上的反射层、设于反射层上的绝缘层、以及第一电极和第二电极；
所述可变化透明曲面层与反射层的接触面为凸形曲面或凹形曲面,所述可变化透明曲面层由透光材料制成。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，具有凸形曲面的可变化透明曲面层的焦距位于衬底。
3.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，具有凹形曲面的可变化透明曲面层与透明导电层之间设有隔离绝缘层。
4.如权利要求1-3任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述可变化透明曲面层的材料为SiO2、SiNx、TiO2、Ti2O5、Al2O3、ITO、AZO、ZnO、MgF2和类钻石膜DLC中的一种。
5.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述可变化透明曲面层为单层或多层结构。
6.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述可变化透明曲面层包括依次设于透明导电层上的ITO层和SiO2层，其中，ITO层的折射率＞SiO2层的折射率。
7.如权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述可变化透明曲面层包括依次设于透明导电层上的ITO层、SiO2层和MgF2，其中，ITO层的折射率＞SiO2层的折射率＞MgF2层的折射率。
8.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层上设有一个或几个可变化透明曲面层。
9.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层和透明导电层之间设有接触层，所述接触层由氧化镍或氧化铟锡制成。
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