[实用新型]一种带有过压斩波特性的可控硅芯片

权利要求书

1.一种带有过压斩波特性的可控硅芯片，其特征在于：包括位于芯片中间的N型长基区N1，设置在N型长基区N1下侧的P型长基区P5、P6和P型短基区P7，设置在N型长基区N1上侧的P型长基区P2、P3和P型短基区P4；短基区P4、P7分别与N型长基区N1形成TVS结构；

所述P型长基区P2上设置有扩磷区域N2，P型长基区P3上设置有扩磷区域N3、P型长基区P5上设置有扩磷区域N4；所述扩磷区域N3上设置门极；

所述P型长基区P2、P型短基区P4、所述扩磷区域N2及N型长基区N1上设置阴极；

所述P型长基区P5、P6、P型短基区P7，扩磷区域N4，隔离墙P1，N型长基区N1上设置阳极。

2.按照权利要求1所述的一种带有过压斩波特性的可控硅芯片，其特征在于：所述P型短基区P4与P型长基区P2、P3之间由N型长基区N1隔开，P型短基区P7与P型长基区P5、P6之间由N型长基区N1隔开。

3.按照权利要求1所述的一种带有过压斩波特性的可控硅芯片，其特征在于：所述隔离墙P1与所述门极、所述阴极之间设置有沟槽保护。

4.按照权利要求3所述的一种带有过压斩波特性的可控硅芯片，其特征在于：该可控硅芯片为双向可控硅芯片，在所述隔离墙P1上设置有划切区域；在所述门极与阴极之间，设置有氧化层薄膜；所述沟槽内设有玻璃膜进行钝化保护。

5.按照权利要求1所述的一种带有过压斩波特性的可控硅芯片，其特征在于：所述P型短基区P4、P7与P型长基区P2、P3、P5、P6之间，间隔距离大于50um。

6.按照权利要求1所述的一种带有过压斩波特性的可控硅芯片，其特征在于：所述P型短基区P4、P7的结深低于与P型长基区P2、P3、P5、P6的结深，结深差异大于10um；用于实现可控硅的双向过压斩波特性。