[实用新型]一种HB-LED驱动器

权利要求书

1.一种HB-LED驱动器，其特征在于，包括单相同步降压变换器、多相异步降压变换器、HB-LED组件(9)以及两个PWM调制模块；

单相同步降压变换器包括第一电源(1)和两个串联的MOS管；其中，第一MOS管(3)的漏极连接第一电源(1)的正极，源极连接第二MOS管(4)的漏极，栅极连接第一PWM调制模块的输出端；第二MOS管(4)的源极连接第一电源(1)的负极；

多相异步降压变换器包括第二电源(2)和至少两个并联的相电路，每一个相电路均包括MOS管和二极管；MOS管的源极连接第二电源(2)的负极，漏极连接二极管的正极，栅极连接第二PWM调制模块的输出端；二极管的负极连接第二电源(2)的正极；

HB-LED组件(9)包括若干串联的HB-LED；HB-LED组件(9)的正极连接多相异步降压变换器输出端正极，HB-LED组件(9)的负极连接单相同步降压变换器的输出端负极，多相异步降压变换器输出端负极连接单相同步降压变换器的输出端正极。

2.根据权利要求1所述的HB-LED驱动器，其特征在于，还包括若干用于减小多相异步降压变换器输出电压纹波的多相变换器输出电压滤波器；

多相变换器输出电压滤波器的输入端与相电路的二极管并联；所有多相变换器输出电压滤波器的输出端串联后正极连接HB-LED组件(9)的正极，负极连接单相同步降压变换器的输出端正极。

3.根据权利要求1所述的HB-LED驱动器，其特征在于，还包括多相变换器输出电压滤波器和若干电感；

多相变换器输出电压滤波器的输入端与多相异步降压变换器的其中一个相电路的二极管并联，输出端正极连接HB-LED组件(9)的正极，输出端负极连接单相同步降压变换器的输出端正极；

多相异步降压变换器的其余相电路中，每个相电路的二极管均通过一个电感与多相变换器输出电压滤波器的输入端电感的出线端连接。

4.根据权利要求2或3所述的HB-LED驱动器，其特征在于，所述多相变换器输出电压滤波器为巴特沃斯滤波器。

5.根据权利要求1所述的HB-LED驱动器，其特征在于，还包括用于减小单相同步降压变换器输出电压纹波的单相变换器输出电压滤波器；

单相变换器输出电压滤波器的输入端正极与第二MOS管(4)的漏极连接，单相变换器输出电压滤波器的输入端负极与第二MOS管(4)的源极连接；

单相变换器输出电压滤波器的输出端正极与多相异步降压变换器输出端负极连接，单相变换器输出电压滤波器的输出端负极与HB-LED组件(9)的负极连接。

6.根据权利要求5所述的HB-LED驱动器，其特征在于，所述单相变换器输出电压滤波器包括第一电感(10)和第一电容(14)；

第一电感(10)的入线端连接第二MOS管(4)的漏极，出线端连接第一电容(14)的入线端；第一电容(14)的出线端连接第二MOS管(4)的源极；第一电容(14)的入线端同时连接多相异步降压变换器输出端负极，第一电容(14)的出线端同时连接HB-LED组件(9)的负极。

7.根据权利要求1所述的HB-LED驱动器，其特征在于，所述HB-LED组件(9)包括6个串联连接的HB-LED。

8.根据权利要求1所述的HB-LED驱动器，其特征在于，所述MOS管为金属氧化物半导体场效应晶体管。