[实用新型]变频器有效
申请号: | 201920533318.4 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN209982040U | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 陈伟孟;董海亮 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰电器股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/085 | 分类号: | H02H7/085;H02P27/04 |
代理公司: | 11365 北京卓言知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王茀智;龚清媛 |
地址: | 325603 浙江省乐*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变频器 本实用新型 单片机 导通 电机 电力电子技术领域 相电流传感器 单片机判断 继电器吸合 电路结构 短路故障 接地故障 输出电流 上电 上桥 下桥 传输 检测 | ||
1.一种变频器,包括IGBT电路、充电电阻以及与充电电阻并联的继电器,IGBT电路包括U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元,每相IGBT单元均包括IGBT上桥Q1和IGBT下桥Q2,U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元分别与电机的U相的线圈绕组、V相的线圈绕组和W相的线圈绕组相连;其特征在于:每个所述IGBT上桥Q1的栅极G均与一个光耦PC1的输出端相连,每个IGBT下桥Q2的栅极G均与一个光耦PC2的输出端相连,光耦PC1和光耦PC2的输入端均与单片机的输出端相连,U相IGBT单元、V相IGBT单元、W相IGBT单元的IGBT上桥Q1和IGBT下桥Q2之间的节点各通过一个电流传感器HL1与电机的U相的线圈绕组、V相的线圈绕组、W相的线圈绕组相连,电流传感器HL1与单片机相连;
所述变频器上电且待继电器吸合后:
所述单片机依次使U相IGBT单元的IGBT上桥Q1、V相IGBT单元的IGBT上桥Q1和W相IGBT单元的IGBT上桥Q1导通时间t,0<t<10μs,各相的电流传感器HL1分别获取U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元的输出电流,单片机并依据各相的输出电流,分别判断电机的U相的线圈绕组、V相的线圈绕组和W相的线圈绕组是否发生接地短路故障;
或者,所述单片机同时使U相IGBT单元的IGBT上桥Q1、V相IGBT单元的IGBT上桥Q1和W相IGBT单元的IGBT上桥Q1导通时间t,0<t<10μs,在时间t内,各相的电流传感器HL1分别获取U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元的输出电流,单片机依据各相的输出电流,判断电机是否发生接地短路故障;
或者,所述单片机同时使U相IGBT单元的IGBT下桥Q2、V相IGBT单元的IGBT下桥Q2和W相IGBT单元的IGBT下桥Q2导通时间t,0<t<10μs,在时间t内,各相的电流传感器HL1分别获取U相IGBT单元、V相IGBT单元和W相IGBT单元的输出电流,单片机依据各相的输出电流,判断电机是否发生接地短路故障。
2.根据权利要求1所述的变频器,其特征在于:所述单片机包括输出端DV+和输出端DV-,光耦PC1的发光二极管的阳极、阴极分别与输出端DV+和输出端DV-相连,光耦PC2的发光二极管的阳极、阴极分别与输出端DV- 和输出端DV+相连。
3.根据权利要求2所述的变频器,其特征在于:所述变频器上电后,单片机通过输出端DV+、输出端DV-分别输出低电平,待继电器吸合后:
所述单片机通过输出端DV+输出高电平且通过输出端DV-输出低电平,则光耦PC1导通,使IGBT上桥Q1导通;
所述单片机通过输出端DV+输出低电平且通过输出端DV-输出高电平,则光耦PC2导通,使IGBT下桥Q2导通。
4.根据权利要求1所述的变频器,其特征在于:每个所述IGBT上桥Q1的栅极G通过一个电阻R1与一个光耦PC1的输出端相连,每个IGBT上桥Q1的栅极G通过一个电阻R2与该IGBT上桥的发射极E相连,每个IGBT下桥Q2的栅极G通过一个电阻R3与一个光耦PC2的输出端相连,每个IGBT下桥Q2的栅极G通过一个电阻R4与该IGBT下桥的发射极E相连;同一IGBT单元的IGBT上桥Q1的发射极E与IGBT下桥Q2的集电极C相连。
5.根据权利要求1或4所述的变频器,其特征在于:所述电流传感器HL1分别通过电容C1、电容C2接地。
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