[实用新型]一种输入信号保持电路有效

专利信息
申请号: 201920539515.7 申请日: 2019-04-19
公开(公告)号: CN209627344U 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 龚李缘;陈念总 申请(专利权)人: 骆驼集团武汉光谷研发中心有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 武汉经世知识产权代理事务所(普通合伙) 42254 代理人: 彭成
地址: 430000 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 信号保持电路 本实用新型 电阻 控制输入信号 输入控制信号 齐纳二极管 分压电路 控制信号 钳位作用 驱动电路 微控制器 信号保持 信号控制 导通 掉电 分压 电路
【权利要求书】:

1.一种输入信号保持电路,包括N沟道MOSFET管、P沟道MOSFET管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、齐纳二极管、第一光耦、第二光耦,第一光耦、第二光耦的控制端分别与控制信号2和控制信号1连接,其特征在于:第二光耦的发射极接地,第一光耦的发射极、驱动电路输入、第七电阻的一端与第二光耦的集电极连接,齐纳二极管的阴极与第二光耦的集电极连接,齐纳二极管的阳极与第二光耦的发射极连接,第三电阻与齐纳二极管并联,第七电阻的另一端与N沟道MOSFET管的栅极连接,N沟道MOSFET管的源极接地,N沟道MOSFET管的漏极串联第一电阻、第二电阻与电源连接,第五电阻的一端与第一电阻、第二电阻的连接点连接,第五电阻的另一端与P沟道MOSFET管的栅极连接,P沟道MOSFET管的漏极经过第六电阻后与齐纳二极管的阴极连接,P沟道MOSFET管的源极与电源连接,第四电阻两端分别与电源和第一光耦的集电极连接。

2.根据权利要求1所述的一种输入信号保持电路,其特征在于:N沟道MOSFET管替换为NPN三极管,P沟道MOSFET管替换为PNP三极管,三极管的基极代替MOSFET管的栅极,三极管的集电极代替MOSFET管的漏极,三极管的发射极代替MOSFET管的源极。

3.根据权利要求1所述的一种输入信号保持电路,其特征在于:第一光耦和第二光耦替换为NPN三极管,三极管的基极与控制信号连接,三极管的发射极代替光耦的发射极,三极管的集电极代替光耦的集电极。

4.根据权利要求1所述的一种输入信号保持电路,其特征在于:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第六电阻为56KΩ的电阻。

5.根据权利要求1所述的一种输入信号保持电路,其特征在于:第五电阻、第七电阻为1KΩ的电阻。

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