[实用新型]一种利用陶瓷载片装载不同结构的芯片的UVLED-COB集成模组

说明书

本实用新型涉及一种利用陶瓷载片装载不同结构的芯片的UVLED‑COB集成模组，包括铜基板、绝缘载片与芯片，铜基板上设有线路层，线路层上分布有若干个固晶区，所述固晶区内设有第一银浆层，所述绝缘载片粘接在第一银浆层上，所述绝缘载片上设有第二银浆层，所述芯片粘接在第二银浆层上，在固晶区上烧结绝缘载片，再在绝缘载片上烧结芯片，不仅可以装载水平结构的芯片，还能装载垂直结构的芯片，有效提高发光效率，另外选用导热系数在150W/M.K以上的氮化铝陶瓷片作为绝缘载片以及选用纳米银浆作为烧结胶剂，能降低模组整体的热阻，保证良好的散热，本实用新型在降低生产成本的同时，具有很好的发光效率与散热性能，性价比高。

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，尤指一种利用陶瓷载片装载不同结构的芯片的UVLED-COB集成模组。

背景技术

现有的UV LED集成模组中有一种以铜材为基板的低成本模组，其优点是价格低廉，性价比高。缺点是为了保证良好的散热，固晶区需将线路层蚀开，芯片用银胶直接固定在铜板上，金线再焊接在线路上。此结构只能选用发光效率低的电极分布在芯片表面的水平结构芯片，而不能选用电极分布在芯片的上下的高光效的垂直结构的芯片。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种价格低廉，能够装载不同结构芯片的低成本UV LED集成模组。

为实现上述目的，本实用新型采用如下的技术方案是：一种利用陶瓷载片装载不同结构的芯片的UVLED-COB集成模组，包括铜基板、绝缘载片与芯片，所述铜基板上设有线路层，所述线路层上分布有若干个固晶区，所述固晶区内设有第一银浆层，所述绝缘载片粘接在第一银浆层上，所述绝缘载片上设有第二银浆层，所述芯片粘接在第二银浆层上。

优选地，所述绝缘载片为氮化铝陶瓷片，其导热系数在 150W/M.K以上。

优选地，所述第一银浆层与第二银浆层的热导率为200W/M.K，银含量大于99％。

优选地，所述芯片为水平结构芯片或垂直结构芯片。

优选地，所述绝缘载片的两面分别设有镀金层。

优选地，所述绝缘载片的宽度大于芯片。

本实用新型的有益效果在于：在固晶区上烧结绝缘载片，再在绝缘载片上烧结芯片，不仅可以装载水平结构的芯片，还能装载垂直结构的芯片，有效提高发光效率，另外选用导热系数在150W/M.K以上的氮化铝陶瓷片作为绝缘载片以及选用纳米银浆作为烧结胶剂，能降低模组整体的热阻，保证良好的散热，本实用新型在降低生产成本的同时，具有很好的发光效率与散热性能，性价比高。

附图说明

图1是本实用新型的立体示意图。

图2是本实用新型的俯视图。

图3是本实用新型的爆炸结构图。

附图标记说明：1.铜基板；11.固晶区；2.绝缘载片；3.芯片。

具体实施方式

请参阅图1-3所示，本实用新型关于一种利用陶瓷载片装载不同结构的芯片的UVLED-COB集成模组，包括铜基板1、绝缘载片2 与芯片3，所述铜基板1上设有线路层，所述铜基板1的四角分别设有安装孔，所述铜基板1的一侧设有台阶，所述线路层上分布有若干个固晶区11，若干个所述绝缘载片2分别对应放置在固晶区11上并通过纳米银浆低温烧结在铜基板1上，铜基板1与绝缘载片2之间的纳米银浆层为第一银浆层，绝缘载片2上装载有芯片3，绝缘载片2 的宽度大于芯片3，所述芯片3为水平结构的芯片或垂直结构的芯片，根据生产需求将水平结构的芯片直接烧结在铜基板上或将垂直结构的芯片通过纳米银浆低温烧结在绝缘载片2上并通过绝缘载片2固定烧结在铜基板1上，芯片3与绝缘载片2之间的纳米银浆层为第二银浆层。