[实用新型]CMOS自校准光强监测集成电路

说明书

CMOS自校准光强监测集成电路，光强测量电路中，输出端与电流电压线性转换电路的输入端相连；电流电压线性转换电路的输入端接光强测量电路的输出端和自校准/监测控制开关阵列的第一输入端3a；自校准/监测控制开关阵列的第一输入端与电流电压线性转换电路的输出端相连，第二输入端SEL为自校准控制输入端，第一输出端、第二输出端分别与输出电压采样保持电路第一输入端、第二输入端相连；输出电压采样保持电路的第一输入端、第二输入端分别接自校准/监测控制开关阵列的第一输出端、第二输出端；比较放大电路(5)的第一输入端、第二输入端分别接输出电压采样保持电路第一输出端、第二输出端，输出端OUT2是本实用新型的输出端。

技术领域

本实用新型涉及的CMOS自校准光强监测集成电路。

背景技术

光照强度测量和监控在LED智能照明控制、智能动植物养殖技术等应用方面成为流行趋势，通过光照测量和监控并通过进一步的反馈和控制，可以智能调节照明系统，控制动植物的生长周期，提高产量，节约时间成本等。

掩埋双PN结光电二极管，由两个垂直堆叠的不同深度的二极管构成。光照下输出电流大小与入射光功率成线性关系，可以作为光探测器用于光照强度的测量。

基于微电子技术的光照强度测量和监控集成电路，采用CMOS工艺，在大大缩小电路体积的同时，可提高微弱信号的检测精度，并将后续的自校准和监测控制电路与掩埋双PN结光电二极管光电传感单元单片集成。

现有的光照强度监测是基于分立的光电传感单元和信号处理电路，将所需要的元器件安装在同一印刷线路板上，是属于板级集成。由于光电传感信号弱，板级间信号的衰减和干扰会降低测量的精度。

发明内容

本实用新型要克服现有技术的上述缺点，提供一种CMOS自校准光强监测集成电路。

本实用新型的CMOS自校准光强监测集成电路，由光强测量电路1、电流电压线性转换电路2、自校准/监测控制开关阵列3、输出电压采样保持电路4、比较放大电路5，共5个电路模块组成。

所述光强测量电路1中，输出端1b与电流电压线性转换电路2的输入端2a相连；

光强测量电路1由浅PN结光电二极管D1、深PN结光电二极管D2组成；所述浅PN结光电二极管D1与所述深PN结光电二极管D2共阴极连接，并且作为该光强测量电路1的输出端1b，所述深PN结光电二极管D1与所述PN结光电二极管D2共阳极连接，并接地；

所述电流电压线性转换电路2中，输入端2a接光强测量电路1的输出端1b，输出端2b接自校准/监测控制开关阵列3的第一输入端3a；

电流电压线性转换电路2由NMOS管N1、N2、N3、N4和PMOS管P1、P2、P3、P4以及电容C1组成；所述PMOS管P1源极接电源VDD，栅极接所述PMOS管P2栅极，漏极接所述PMOS管P3源极，所述PMOS管P3栅极接所述PMOS管P4栅极，漏极与所述NMOS管N1漏极相连，并作为该电流电压线性转换电路2的输出端2b，所述NMOS管N1栅极接所述NMOS管N2栅极，源极接所述NMOS管N3漏极，所述NMOS管N3源极接地，栅极作为该电流电压线性转换电路2的输入端2a，所述PMOS管P2源极接电源VDD，栅漏短接，漏极接所述PMOS管P4源极，所述PMOS管P4栅漏短接，漏极接所述NMOS管N2漏极，所述NMOS管N2栅漏短接，源极接所述NMOS管N4漏极，所述NMOS管N4栅漏短接，源极接地，所述电容C1一端接该电流电压线性转换电路2的输出端2b，所述电容C1另一端接该电流电压线性转换电路2的输入端2a；

所述自校准/监测控制开关阵列3中，第一输入端3a与电流电压线性转换电路2的输出端2b相连，第二输入端SEL为自校准控制输入端，第一输出端31b、第二输出端32b分别与输出电压采样保持电路4第一输入端41a、第二输入端42a相连；