[实用新型]半导体器件、金属氧化物半导体场效应管和整流器器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

第一导电类型的半导体区域；

第二导电类型的阱区域，所述阱区域设置在所述半导体区域中，所述阱区域和所述半导体区域之间的界面在所述半导体区域的上表面之下的深度处限定二极管结；以及

至少一个电介质区域，所述至少一个电介质区域设置在所述半导体区域中，所述至少一个电介质区域中的电介质区域具有：

上表面，所述上表面在所述半导体区域中的高于所述二极管结的深度的深度处设置在所述阱区域中；和

下表面，所述下表面在所述半导体区域中的与所述二极管结的深度相同的深度处或低于所述二极管结的深度的深度处设置在所述半导体区域中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电介质区域中断所述二极管结的一部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个电介质区域包括多个电介质区域，所述多个电介质区域的所述电介质区域中的每个中断所述二极管结的相应部分。

4.一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应管包括：

第一导电类型的半导体区域，所述半导体区域包括所述金属氧化物半导体场效应管的漂移区域；

第二导电类型的体区域，所述体区域设置在所述半导体区域中，所述体区域和所述半导体区域之间的界面在所述半导体区域的上表面之下的深度处限定二极管结；

所述第一导电类型的源极区域，所述源极区域设置在所述体区域中；

接触开口，所述接触开口设置在所述半导体区域中，所述接触开口延伸穿过所述源极区域并且终止于所述体区域；

电介质区域，所述电介质区域设置在所述接触开口的底部处，所述电介质区域的宽度小于所述接触开口的所述底部的宽度，所述电介质区域具有：

上表面，所述上表面在所述半导体区域中的高于所述二极管结的深度的深度处设置在所述接触开口中；和

下表面，所述下表面在所述半导体区域中的与所述二极管结的深度相同的深度处或低于所述二极管结的深度的深度处设置在所述半导体区域中。

5.根据权利要求4所述的金属氧化物半导体场效应管，其中，所述金属氧化物半导体场效应管还包括设置在所述接触开口中的导电金属层，所述导电金属层设置在所述电介质区域的所述上表面上，并且电接触所述源极区域和所述体区域。

6.根据权利要求4所述的金属氧化物半导体场效应管，其中，所述金属氧化物半导体场效应管还包括设置在所述半导体区域中的沟槽栅极，所述沟槽栅极从所述接触开口横向设置并且与所述源极区域和所述体区域相邻，

其中所述沟槽栅极包括：

沟槽，所述沟槽设置在所述半导体区域中；

栅极电介质，所述栅极电介质衬于所述沟槽的侧壁以及所述沟槽的底部表面；和

导电栅极电极，所述导电栅极电极设置在所述栅极电介质上，所述栅极电介质将所述栅极电极与所述源极区域、所述体区域和所述半导体区域电隔离。

7.根据权利要求4所述的金属氧化物半导体场效应管，其中，所述电介质区域包括多个电介质区域，所述多个电介质区域的所述电介质区域中的每个中断所述二极管结的相应部分。

8.一种整流器器件，其特征在于，所述整流器器件包括：

第一导电类型的半导体区域，所述半导体区域包括所述整流器器件的P-本征-N(P-i-N)二极管的阴极区域；

第二导电类型的阳极区域，所述阳极区域设置在所述半导体区域中，所述阳极区域和所述半导体区域之间的界面在所述半导体区域的上表面之下的深度处限定二极管结；以及

至少一个电介质区域，所述至少一个电介质区域设置在所述半导体区域中，所述至少一个电介质区域中的电介质区域延伸穿过所述阳极区域并且终止于所述阴极区域。

9.根据权利要求8所述的整流器器件，其中，所述整流器器件还包括设置在所述阳极区域上的金属层，所述金属层包括设置在所述半导体区域上的阻挡金属层。