[实用新型]一种带温度补偿的内置Regulator电路

说明书

本实用新型提供了一种带温度补偿的内置Regulator电路，芯片内部在不需要专门设计带隙基准电路模块、输出端不需要环路补偿的情况下，芯片输入为高压时电路内部产生供其他模块正常工作的稳定可靠地工作电压，设计芯片内部电路简单，芯片工作时自身电路的待机电流非常小。各种器件可以根据温度的变化对输出电压进行有效地补偿，可以做到输出电压不受温度的影响而产生不稳定的情况，从而确保了在各种温度环境中芯片的正常工作。本实用新型实现电路简单，适用于各种目前常见的高压CMOS工艺电路，并且使用过程安全可靠，不仅节约成本，还大大减少了研发周期。

技术领域

本发明涉及电路领域，尤其是一种高压CMOS工艺电路。

背景技术

随着集成电路行业的快速发展，人们对于芯片的集成度要求越来越高，但对于芯片的面积却要求越来越小，这就需要不断简化芯片内部的电路设计。目前传统芯片内部Regulator电路的一般设计如图1所示：电路内部包括电路偏置电路、启动电路、带隙基准电路、运放电路、N沟道增强型MOS管，运放补偿电阻和反馈电阻，电路中由电流偏置电路产生偏置电流，通过启动电路启动带隙基准电路，再通过运放电路和电容进行输出环路补偿。采用这种传统设计方法不仅内部电路复杂让芯片自身待机电路很大，而且当芯片应用于高压电路中时，芯片中用到的高压器件很多，导致芯片所需要的面积更大，除此之外必须在输出端专门的设计补偿电路进行稳定性补偿，有的还需要电容进行输出补偿，更加增大了芯片的设计面积，使得芯片的设计成本变得更高。

所以，亟待开发一种可应用于高压电路并且内部电路简单、不需要输出补偿电路、面积小、低待机电流的安全可靠的具有温度补偿的内置Regulator电路。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种简单带温度补偿的内置Regulator电路，能够保证芯片内部在不需要专门设计带隙基准电路模块、输出端不需要环路补偿的情况下，可以在芯片输入为高压时电路内部产生供其他模块正常工作的稳定可靠地工作电压，以解决上述问题的不足之处。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种带温度补偿的内置Regulator电路，包括高压P沟道增强型MOS管PM1-PM2，高压N沟道增强型MOS管NM1-NM3，N沟道增强型MOS管NM4-NM7，电阻R1-R3，电流偏置电路模块，VIN输入端口和VP1、VP2输出端口，所述VIN端口为高压输入端口，VP1、VP2为电路的Regulator电压输出端口；

所述偏置电流电路模块输出端连接高压P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极和高压P沟道增强型MOS管PM2栅极，提供具有正温度系数的偏置电流。

所述高压P沟道增强型MOS管PM1源极连接VIN端口，栅极漏极连接高压P沟道增强型MOS管PM2栅极和偏置电流电路模块的输入端；所述高压P沟道增强型MOS管PM2源极连接VIN端口，栅极连接高压P沟道增强型MOS管PM1栅极漏极和偏置电流电路模块的输入端，漏极连接高压N沟道增强型MOS管NM1栅极漏极、二极管D1阴极、高压N沟道增强型MOS管NM2栅极和高压N沟道增强型MOS管NM3栅极；所述高压P沟道增强型MOS管PM1和PM2构成电流镜结构电路。

所述高压N沟道增强型MOS管NM1栅极漏极连接高压P沟道增强型MOS管PM2漏极、二极管D1阴极、高压N沟道增强型MOS管NM2栅极和高压N沟道增强型MOS管NM3栅极，源极连接N沟道增强型MOS管NM4栅极漏极；所述高压N沟道增强型MOS管NM2漏极连接VIN端口，栅极连接高压P沟道增强型MOS管PM2漏极、高压N沟道增强型MOS管NM1栅极漏极、二极管D1阴极和高压N沟道增强型MOS管NM3栅极，源极连接电阻R2一端和VP1输出端口；所述高压N沟道增强型MOS管NM3漏极连接电阻R1的一端，栅极连接高压P沟道增强型MOS管PM2漏极、高压N沟道增强型MOS管NM1栅极漏极、二极管D1阴极和高压N沟道增强型MOS管NM2栅极，源极连接电阻R3一端和VP2输出端口。