[实用新型]微带分支线结构

说明书

本实用新型公开了一种微带分支线结构，其安装于超高频射频识别系统，所述超高频射频识别系统用于读取超高频射频识别标签，所述微带分支线结构包括介质基材、形成于介质基材第一表面的导体、形成于所述介质基材第二表面的接地部，所述导体包括微带主传输线、垂直延伸于所述微带主传输线一侧的若干分支线、分别位于所述微带主传输线自由端的第一连接部、第二连接部，因为用于超高频射频识别的微带分支线结构或多个微带分支线级联后的整体结构的最末端连接匹配负载，所以整个强磁近场体现出相位峰谷实时变化的行波特性，而不再是驻波，这就避免了弱区盲区的出现。

【技术领域】

本实用新型涉及信号传输领域，具体为一种微带分支线结构。

【背景技术】

随着射频识别(RFID)芯片性能的持续提升和芯片价格的不断降低，2015年开始超高频(UHF)射频识别技术的发展和应用进入快车道。国民经济的各个部门，越来越多的实际项目中开始使用超高频射频识别技术来盘点物品，辨识人员，从而帮助完成清点、查找、追溯、计时、收费等一系列人力无法胜任的管理工作。然而，在实际使用中，超高频射频识别技术表现并不尽如人意，电子标签要么漏读、要么误读，总是难以获得令人满意的识别率。这是因为通常实际应用环境是复杂和难以预计的。周围物体对电磁场的反复反射和折射、液体和金属对标签天线匹配性能的影响、以及电磁场辐射远场中场的衰落规律等因素综合起来造成了整个识读区域内外电磁场盲区弱区分布的随机性、不确定性、和易扰动性，从而造成超高频射频识别的漏读和误读问题。

为避免周围环境对电磁场的反复反射和折射，减小液体金属对标签天线匹配性能的影响，适应从物品的大包装射频识别标签、托盘射频识别标签向着单品级射频识别标签迈进的趋势，越来越多的用于识别单品级射频识别标签，与射频识别读写器配套使用的近场天线结构被提出。这些天线各具特点，但也存在一定的不足，主要表现在：

1.大多数近场天线结构可以被看作是若干个天线辐射单元的组合，通过设计组合在需要的读取区域形成环形电流，从而产生强磁近场。这些天线辐射单元辐射出的电磁波会受到周围物体对电磁场的反复反射和折射的影响，读取场区内不可避免地存在弱区和盲区造成漏读现象，读取场区之外也会形成强区造成误读问题。此外这种强区弱区的分布很容易受外界物体运动的影响，发生改变。

2.目前市场上或者文献中提出的近场天线结构精巧复杂，难以加工，成本居高不下，这影响了基于近场天线的射频识别系统的进一步推广应用。这些近场天线都是精心设计调试的成果。它们往往对生产的加工精度、公差、材料的温度特性等要求很高。这也影响了量产的成品率和产品的应用范围。

本实用新型提出了一种用于超高频射频识别的微带分支线结构，用来替代近场天线，与超高频射频识别读写器配合使用，读取单品级超高频射频识别标签，完全解决了近场天线存在的上述问题。本实用新型将极大推进射频识别技术的推广应用，使得整个物联网底层的基础识别技术向着实用性可靠性目标前进一大步。

由此可见，提供一种微带分支线结构是本领域亟需解决的问题。

【实用新型内容】

本实用新型针对上述问题，提供微带分支线结构，完全解决了近场天线存在的上述问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供的一种微带分支线结构，其安装于超高频射频识别系统，所述超高频射频识别系统用于读取超高频射频识别标签，所述微带分支线结构包括介质基材、形成于介质基材第一表面的导体、形成于所述介质基材第二表面的接地部，所述导体包括微带主传输线、垂直延伸于所述微带主传输线一侧的若干分支线、分别位于所述微带主传输线自由端的第一连接部、第二连接部，所述若干分支线相互平行间隔设置，所述第一连接部连接馈点或者匹配负载中其中之一，所述第二连接部连接馈点或者匹配负载中其另一个，分支线与微带主传输线位于同一个平面内。

进一步的，每个导体中的各分支线长度不完全相同。

进一步的，第一连接部、第二连接部与微带主传输线一体成型。