[实用新型]一种二层结构的多叶准直器有效

专利信息
申请号: 201920574395.4 申请日: 2019-04-25
公开(公告)号: CN210542921U 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 李时洪;李兴成;彭其巧 申请(专利权)人: 深圳市艾华联盟科技有限公司
主分类号: A61N5/10 分类号: A61N5/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区横岗街道1*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 结构 多叶准直器
【权利要求书】:

1.一种二层结构的多叶准直器,其特征是,它包括一层主层准直叶片组,一层副层准直叶片组,多个主准直叶片和多个副准直叶片以及两个固定一层主层准直叶片组和一层副层准直叶片组的箱体;所述一层主层准直叶片组分别设置在两个相对的箱体内,一层主层准直叶片组包含多个平板结构的主准直叶片;所述一层副层准直叶片组分别设置在两个相对的箱体内,一层副层准直叶片组包含多个凹凸结构的副准直叶片;所述一层主层准直叶片组和一层副层准直叶片组不在同一水平面上,同侧一层主层准直叶片组和一层副层准直叶片组共用一个箱体固定;相邻主准直叶片与主准直叶片间接触并相对移动的面是平面结构,相邻副准直叶片与副准直叶片间接触并相对移动的面是平面结构,所述主准直叶片间缝隙和副准直叶片间缝隙是错开不在同一平面上的,主准直叶片对数比副准直叶片对数多一对。

2.如权利要求1所述的一种二层结构的多叶准直器,其特征是,所述的一层副层准直叶片组比一层主层准直叶片组更靠近放射源,副准直叶片的聚焦点位于实际源点的正上方5mm处,主准直叶片聚焦到实际源点。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市艾华联盟科技有限公司,未经深圳市艾华联盟科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920574395.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top