[实用新型]一种基于IGBT的控制电路有效
申请号: | 201920582753.6 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN209949078U | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 车兰秀;徐之文;薛英杰;邱瑞鑫 | 申请(专利权)人: | 广州华工科技开发有限公司 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H03K17/08;H03K17/16;H03K17/04 |
代理公司: | 44339 佛山市广盈专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 李俊 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动电机 控制电路 本实用新型 驱动单元 动力电池组 信号触发 信号开关 性控制 门极 驱动 配合 | ||
本实用新型实施例公开了一种基于IGBT的控制电路,其特征在于,所述控制电路包括:PCB电路板、第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、门极驱动单元、第一驱动电机、第二驱动电机、第三驱动电机、第四驱动电机、四选一信号开关和动力电池组。在本实用新型实施例中,通过这种控制电路可以满足对四路IGBT向各驱动电机的输入性控制,也保障了PCB电路板可以对门极驱动单元实现信号触发配合IGBT单元的驱动功能。
技术领域
本实用新型涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种基于IGBT的控制电路。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT作为一个开关管可以应用于各种应用于控制电路需求中,但多个IGBT单元组合而成的控制单元存在选路控制以避免驱动电机同时工作,现有电路无法提供一种有效控制一路电源输入,并由门极驱动单元配合所对应IGBT单元实现相应的结构性响应功能。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,本实用新型提供了一种基于IGBT的控制电路,通过这种控制电路可以满足对四路IGBT向各驱动电机的输入性控制,也保障了PCB电路板可以对门极驱动单元实现信号触发配合IGBT单元的驱动功能。
为了解决上述问题,本实用新型提出了一种基于IGBT的控制电路,所述控制电路包括:PCB电路板、第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、门极驱动单元、第一驱动电机、第二驱动电机、第三驱动电机、第四驱动电机、四选一信号开关和动力电池组,其中:所述动力电池组通过第一IGBT单元连接第一驱动电机为第一驱动电机提供电源,所述动力电池组通过第二IGBT单元连接第二驱动电机为第二驱动电机提供电源,所述动力电池组通过第三IGBT单元连接第三驱动电机为第三驱动电机提供电源,所述动力电池组通过第四IGBT单元连接第四驱动电机为第四驱动电机提供电源;所述PCB电路板与第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、四选一信号开关基于信号线连接;所述四选一信号开关与第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、PCB电路板、门极驱动单元基于信号线连接。
所述PCB电路板集成有四块AU6802N1芯片和DSP核心控制芯片。
所述PCB电路板留有插件接口接插件。
所述门极驱动单元包括电阻R1、电阻R2、稳压二极管D1和稳压二极管D4、稳压二极管D3,其中:R1与D3形成第一并联电路,D1和D4形成第一串联电路,所述第一串联电路和R2形成第二并联电路,所述第一并联电路和第二并联电路形成第二串联电路。
所述四选一信号开关为FPGA布线开关。
所述FPGA布线开关包括:多路选择器和缓冲器,所述多路选择器与所述缓冲器信号连接。
所述多路选择器至少为4路。
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