[实用新型]一种新型的高压MOS管

说明书

本实用新型公开了一种新型的高压MOS管，包括源极、栅极、漏极、基底、下包胶、上包胶和外延层，所述外延层设置在基底上方，外延层顶部中部设置有第二阱区，第二阱区左右两侧分别设置有第一阱区和第三阱区，所述源极底部与第一阱区连接，漏极底部与第三阱区连接，所述第二阱区顶部设置有第二绝缘氧化层，且栅极底部与第二绝缘氧化层连接，所述外延层顶部左右两侧均设置有第一绝缘氧化层，所述下包胶设置在基底下方，上包胶设置在栅极上方，本实用新型的有益效果是：第二阱区作用于增加第一阱区与第三阱区之间的电阻，从而增加击穿电压；外延层与基底之间设置有散热层，能够在电压到达击穿电压时对基底进行保护，增加基底的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及一种MOS管，具体是一种新型的高压MOS管。

背景技术

MOS管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应管。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

但是，常见的MOS管其击穿电压较低，且在高电压下工作时容易被烧毁，在电压高于击穿电压时基底容易损坏。因此，本领域技术人员提供了一种新型的高压MOS管，以解决上述背景技术中提出的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型的高压MOS管，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种新型的高压MOS管，包括源极、栅极、漏极、基底、下包胶、上包胶和外延层，所述外延层设置在基底上方，外延层项部中部设置有第二阱区，第二阱区左右两侧分别设置有第一阱区和第三阱区，所述源极底部与第一阱区连接，漏极底部与第三阱区连接，所述第二阱区顶部设置有第二绝缘氧化层，且栅极底部与第二绝缘氧化层连接，所述外延层顶部左右两侧均设置有第一绝缘氧化层，所述下包胶设置在基底下方，上包胶设置在栅极上方，上包胶的侧壁与下包胶的侧壁固定连接，所述上包胶内设置有接地片，接地片底部与栅极连接，源极、栅极和漏极后端均设置有引脚。

作为本实用新型进一步的方案：所述下包胶后壁上对应引脚处设置有插杆，上包胶后壁上对应引脚处设置有凹槽。

作为本实用新型再进一步的方案：所述第一阱区和第三阱区底部均设置有耗尽层。

作为本实用新型再进一步的方案：所述外延层与基底之间设置有散热层。

作为本实用新型再进一步的方案：所述栅极顶部前侧设置有第二凸台，接地片底部后侧设置有第一凸台，所述第一凸台前端与第二凸台贴合。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、第二阱区作用于增加第一阱区与第三阱区之间的电阻，从而增加击穿电压；

2、外延层与基底之间设置有散热层，能够大大提升MOS管的散热性能，以适应高电压下工作，并且由于散热层为导热硅胶，能够在电压到达击穿电压时对基底进行保护，增加基底的使用寿命；

3、接地片与栅极通过两个凸台进行固定连接，增加整体结构的稳定性，并且接地片大面积外漏能增强散热性能。

附图说明

图1为一种新型的高压MOS管的结构示意图；

图2为一种新型的高压MOS管中接地片与栅极的连接结构示意图；