[实用新型]一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器及其电路系统

权利要求书

1.一种基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其包括：

中间介质层(2)；以及

分别固定在中间介质层(2)相对两侧的两个金属谐振层(1)；

其特征在于，每个金属谐振层(1)包括呈阵列排布的多个谐振结构(3)；每个谐振结构(3)包括相对设置的两个“[”形谐振环(4)；两个谐振环(4)围成一个呈正方形区域，且端部相靠近；

其中一个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)分别与另一个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)相对应，且相对应的两个谐振结构(3)位于中间介质层(2)同一厚度方向上；

谐振环(4)为由铜制成的谐振环，中间介质层(2)为由柔性聚二甲基硅氧烷材料制成的介质层。

2.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，所述柔性聚二甲基硅氧烷材料的相对介电常数为2.68。

3.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，在每个金属谐振层(1)中，所有谐振结构(3)等间距设置。

4.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，两个金属谐振层(1)的厚度相同，中间介质层(2)的厚度大于金属谐振层(1)的厚度。

5.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，中间介质层(2)的厚度为360um，谐振环(4)的厚度为0.3um。

6.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，每个谐振结构(3)的两个谐振环(4)端部的间距为100um，谐振环(4)的宽度为60um。

7.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，谐振结构(3)的边长为500um，在同一金属谐振层(1)中，相邻的两个谐振结构(3)之间的距离为700um。

8.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，每个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)排列成矩形阵列，中间介质层(2)呈矩形。

9.如权利要求1所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器，其特征在于，每个金属谐振层(1)的所有谐振结构(3)排列成圆形阵列，中间介质层(2)呈圆形。

10.一种射频微波电路系统，其特征在于，其包括至少一个如权利要求1-9中任意一项所述的基于MDM结构的超材料宽阻带滤波器。