[实用新型]一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具

说明书

本实用新型公开一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具，包括定位环外圈，所述定位环外圈上固定有若干个定位机构，所述定位机构包括石墨螺杆、固定套筒、伸缩件和定位环内圈，所述定位环外圈上开设有若干个通孔，所述固定套筒安装在定位环外圈外表面上，所述石墨螺杆通过定位环外圈的通孔旋接在所述固定套筒上，所述定位环内圈与所述定位环外圈通过伸缩件固定连接，所述石墨螺杆包括端部和螺杆部，所述端部与螺杆部固定连接，所述螺杆部的表面上固定有刻度尺；本实用新型的装炉定位工具在SiC单晶装炉过程中保证了坩埚和中频感应线圈同心，使生长的SiC单晶界面良好，边缘薄厚均匀。

技术领域

本实用新型涉及SiC单晶装炉过程中使用的定位工具，特别是涉及一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具。

背景技术

作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅(SiC)单晶材料具有禁带宽度大(Si的3倍)、热导率高(Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高(Si的2.5倍)和击穿电场高(Si的10倍或GaAs的5倍)等性质。SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测和大功率的电子转换器以及极端和恶劣环境下；正因为其诸多优良的特性，使其成为当前广泛研究的材料之一，目前国际上主流生长SiC的方法为物理气相输运(PVT)法，采用PVT法生长SiC，在SiC单晶装炉过程中，可能会出现一些问题，如果坩埚与中频感应线圈不能同心，导致所生长的SiC单晶边缘厚度不均匀，增加后续加工的难度和工作量，减少晶锭切片的数量，严重的可能导致籽晶边缘烧蚀，降低了产品的合格率，浪费人力物力，提高了产品的成本；因此，需要提供一种定位工具，在SiC单晶装炉过程中保证坩埚和中频感应线圈同心，使生长的SiC单晶界面良好，边缘薄厚均匀。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具，以解决上述现有技术存在的问题，使SiC单晶在装炉过程中保证了坩埚和中频感应线圈同心，使生长的SiC单晶界面良好，边缘薄厚均匀。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：本实用新型提供一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具，包括定位环外圈，所述定位环外圈上固定有若干个定位机构，所述定位机构包括石墨螺杆、固定套筒、伸缩件和定位环内圈，所述定位环外圈上开设有若干个通孔，所述固定套筒安装在定位环外圈外表面上，所述固定套筒内表面上设置有螺纹，所述石墨螺杆与所述固定套筒螺纹连接，所述定位环内圈与所述定位环外圈通过伸缩件固定连接，所述石墨螺杆包括端部和螺杆部，所述端部与螺杆部固定连接，所述螺杆部的表面上固定有刻度尺。

优选地，所述螺杆部上开设有若干个第一凹槽，所述第一凹槽内安装有弹性组件，所述弹性组件上固定安装有橡胶块，相邻第一凹槽间的刻度相同。

优选地，所述第一凹槽与所述刻度尺间隔设置。

优选地，所述橡胶块的前端为圆弧状。

优选地，所述定位环内圈上固定有若干个防滑凸起。

优选地，所述石墨螺杆的底部与所述定位环内圈的外表面相接触。

优选地，所述伸缩件和弹性组件为弹簧。

本实用新型公开了以下技术效果：随着长晶炉次的增加，坩埚外壁会不断腐蚀，外径变小，利用石墨定位工具可调节内圈大小使其与坩埚外径相同，在SiC单晶装炉过程中保证了坩埚和中频感应线圈同心，使生长的SiC单晶界面良好，边缘薄厚均匀，同时还消除了个体差异和人为因素导致的误差，炉次间重复性好，操作简便，生产效率明显提高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。