[实用新型]一种高频逆变器低杂散电感的母排

权利要求书

1.一种高频逆变器低杂散电感的母排，其特征在于，包括主母排和用于抑制母排杂散电感的吸收电容模块；

所述主母排包括正铜排和负铜排两层铜排，所述正铜排和所述负铜排叠层放置，在两层铜排的中间以及两侧铺设绝缘材料；所述主母排的两端向同一侧折叠，形成U型的双层折叠结构，所述U型的双层折叠结构包括依次连接的第一竖直部、水平部和第二竖直部，所述第一竖直部为直流输入端；

所述吸收电容模块包括用于吸收直流电压振荡的第一组吸收电容和用于提升功率密度的第二组吸收电容；

在所述水平部靠近所述第一竖直部的一侧设置第一组电容接口，所述第一组电容接口用于接入所述第一组吸收电容；在所述第二竖直部的上端设置母线支撑电容接口，在所述第二竖直部的下端设置第二组电容接口，所述第二组电容接口用于接入所述第二组吸收电容，在所述第一组电容接口和所述第二组电容接口之间设置开关器件接口。

2.根据权利要求1所述一种高频逆变器低杂散电感的母排，其特征在于，所述第一组吸收电容和所述第二组吸收电容并联设置，所述第一组吸收电容和所述第二组吸收电容均包括若干个小电容，且每组吸收电容中的所有小电容并联设置；

所述吸收电容模块中每一个所述小电容的电容容量C_snub满足：

式中，N为所述第一组吸收电容和所述第二组吸收电容中所有并联小电容的个数，I_off为开关器件关断时刻的瞬态电流值，L_bb为母排杂散电感值，△U₁为母排杂散电感引起的尖峰电压值。

3.根据权利要求2所述一种高频逆变器低杂散电感的母排，其特征在于，所述第一组吸收电容和所述第二组吸收电容均分别包括3-6个小电容。

4.根据权利要求3所述一种高频逆变器低杂散电感的母排，其特征在于，所述第一组吸收电容和所述第二组吸收电容均分别包括3个小电容。

5.根据权利要求1-4任一项所述一种高频逆变器低杂散电感的母排，其特征在于，所述第一组吸收电容和所述第二组吸收电容均设置在所述第一竖直部和所述第二竖直部之间，所述第一组吸收电容设置在所述水平部的上部；在所述开关器件接口接入SiC MOSFET开关功率器件，所述SiC MOSFET开关功率器件设置在所述水平部的下部。

6.根据权利要求1所述一种高频逆变器低杂散电感的母排，其特征在于，所述第一竖直部和所述第二竖直部向同一侧折叠的角度均为直角，即所述第一竖直部和所述第二竖直部均相对于所述水平部垂直设置。

7.根据权利要求1所述一种高频逆变器低杂散电感的母排，其特征在于，所述正铜排和所述负铜排的尺寸规格相同，即所述正铜排和所述负铜排的宽度、厚度和长度均相同；

所述母排杂散电感L_bb满足：

式中，μ₀是常数，b是铜排宽度，D为两层铜排的间距，h为铜排厚度，l为铜排长度；

控制铜排长度l为56.67cm，铜排宽度b为25.6cm，铜排厚度h为0.15cm，两层铜排的间距D为0.05cm，母排杂散电感L_bb小于15nH。

8.根据权利要求1所述一种高频逆变器低杂散电感的母排，其特征在于，在所述第二竖直部的上端设置的母线支撑电容接口为四个，两负两正。

9.根据权利要求1所述一种高频逆变器低杂散电感的母排，其特征在于，所述高频逆变器低杂散电感的母排的功率密度最高达15.84W/cm³；根据耐压测试实验数据，所述高频逆变器低杂散电感的母排能够承受电压至少为DC5000V。