[实用新型]一种阻隔型真空镀膜管件有效
| 申请号： | 201920588455.8 | 申请日： | 2019-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN209854235U | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 孙建军 | 申请（专利权）人： | 孙建军 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C16/40;C23C14/06;C23C16/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 064299 河北省唐山市*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 本实用新型 薄膜 塑料管 管壁 二氧化碳分子 测试准确性 氮化硅薄膜 水蒸气分子 塑料管表面 塑料管内壁 真空镀膜管 微观孔隙 氧气分子 真空镀膜 壁表面 氮化硅 管内壁 致密性 阻隔膜 阻隔型 改性 亲水 疏水 水渍 外壁 脏污 填充 样本 | ||
【权利要求书】：
1.一种阻隔型真空镀膜管件，包括塑料管，其特征在于，所述塑料管的管壁内侧依次沉积有SiO薄膜和SiO2薄膜；塑料管的管壁外侧由里至外依次沉积有SiO薄膜、SiO2薄膜和氮化硅薄膜。
2.如权利要求1所述的阻隔型真空镀膜管件，其特征在于，所述塑料管由PET、PEN、PP或COP材质制成，塑料管长度为30～1500mm、管外径为30～1000mm、管壁厚度为1～10mm。
3.如权利要求1所述的阻隔型真空镀膜管件，其特征在于，所述管壁内侧上沉积的SiO薄膜为低速沉积膜，采用PECVD方法沉积，厚度为5～10nm，沉积时间为15～30秒，SiO2薄膜为高速沉积膜，采用PECVD方法沉积，厚度为20～70nm，沉积时间为30～105秒。
4.如权利要求1所述的阻隔型真空镀膜管件，其特征在于，所述管壁外侧上沉积的SiO薄膜为低速沉积膜，采用PVD方法沉积，厚度为1～5nm，沉积时间为120～600秒，SiO2薄膜为高速沉积膜，采用PVD方法沉积，厚度为5～10nm，沉积时间为60～300秒,氮化硅薄膜采用PVD方法沉积，厚度为5～10nm，沉积60～120秒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于孙建军，未经孙建军许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920588455.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种送粉器
- 下一篇：一种用于真空蒸镀的送料机构
- 同类专利
- 专利分类
