[实用新型]防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构有效
| 申请号： | 201920590495.6 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN209675334U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 孙建侠;陈加坡;方主亮;乐嘉旭;田清勇;范斌 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 赵世发;王锋<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 光敏层 空穴传输层 本实用新型 电子传输层 太阳能电池结构 透明导电电极层 空穴 金属电极层 太阳能电池 电池结构 电子传输 空穴电子 玻璃基 光电流 叠层 复合 排斥 传输 | ||
1.一种防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构，包括依次叠层设置的玻璃基底、透明导电电极层，空穴传输层、钙钛矿光敏层、电子传输层、金属电极层；其特征在于：在所述空穴传输层与钙钛矿光敏层之间还设置有防止反向电子传输层，所述防止反向电子传输层能够将钙钛矿光敏层中产生的空穴拉向钙钛矿光敏层与空穴传输层的界面，并且排斥钙钛矿光敏层中产生的电子向空穴传输层传输。
2.根据权利要求1所述的防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：所述防止反向电子传输层包括主要由n型低温金属氧化物形成的n型低温金属氧化物层。
3.根据权利要求2所述的防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：所述n型低温金属氧化物分布在所述空穴传输层的表面。
4.根据权利要求3所述的防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：部分所述n型低温金属氧化物分布在空穴传输层晶体之间的缝隙界面处。
5.根据权利要求2所述的防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：所述n型低温金属氧化物包括n型低温金属氧化物颗粒，所述n型低温金属氧化物颗粒的平均粒径为10-30nm。
6.根据权利要求2所述的防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：所述n型低温金属氧化物包括n型低温氧化钛、n型低温氧化锡、n型低温氧化锌和n型低温氧化铈中的任意一种或两种以上的组合。
7.根据权利要求1所述的防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：所述空穴传输层的材质包括金属氧化物，所述金属氧化物包括氧化镍、氧化钨、氧化铜、氧化亚铜中的任意一种或两种以上组合；和/或，所述空穴传输层的厚度为20-100nm。
8.根据权利要求1所述的防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：所述电子传输层的材质包括PCBM；和/或，所述电子传输层的厚度为40-100nm。
9.根据权利要求1所述的防止反向电子传输的钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：所述的钙钛矿太阳能电池结构为反置结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
